Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件 | |
| 其他题名 | 半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件 |
| 冈贵郁; 阿部真司; 川崎和重; 堀江淳一; 佐久间仁 | |
| 2010-11-03 | |
| 专利权人 | 三菱电机株式会社 |
| 公开日期 | 2010-11-03 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件，本发明的半导体发光元件的制造方法能容易地扩大p侧电极与p型接触层的接触面积，进而能得到动作电压低的半导体发光元件。利用设于脊形波导上表面(46a)的悬突形状的抗蚀剂图案(91)，在脊形波导(46)的上表面(46a)上，以与绝缘膜(50)的端部形成台阶的方式形成金属膜(60)，以该金属膜(60)作为掩模，对脊形波导上表面(46a)的绝缘膜(50)进行蚀刻，由此，能不设置新的掩模工序而扩大设于绝缘膜(50)的开口部(50a)的开口宽度，能增大p侧电极(70)与p型接触层(45)的接触面积。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件，本发明的半导体发光元件的制造方法能容易地扩大p侧电极与p型接触层的接触面积，进而能得到动作电压低的半导体发光元件。利用设于脊形波导上表面(46a)的悬突形状的抗蚀剂图案(91)，在脊形波导(46)的上表面(46a)上，以与绝缘膜(50)的端部形成台阶的方式形成金属膜(60)，以该金属膜(60)作为掩模，对脊形波导上表面(46a)的绝缘膜(50)进行蚀刻，由此，能不设置新的掩模工序而扩大设于绝缘膜(50)的开口部(50a)的开口宽度，能增大p侧电极(70)与p型接触层(45)的接触面积。 |
| 申请日期 | 2010-03-29 |
| 专利号 | CN101877456A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201010143171 |
| 公开（公告）号 | CN101877456A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 李娜 | 徐予红 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90394 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冈贵郁,阿部真司,川崎和重,等. 半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件. CN101877456A[P]. 2010-11-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101877456A.PDF（1575KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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