GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法

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	GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法
其他题名	GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法
	刘俊岐; 刘峰奇; 李路; 邵烨; 郭瑜; 梁平; 胡颖; 孙虹
	2007-08-29
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2007-08-29
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种GaAs基单模面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底，及在衬底上依次生长的背欧姆接触电极、下覆盖层、下波导层、有源层、上波导层、上覆盖层、隔离层，该隔离层淀积在上覆盖层上及下波导层的两侧的上面和有源层、上波导层、上覆盖层的侧面，该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口；一上欧姆接触电极，该上欧姆接触电极淀积在隔离层上并覆盖电流注入窗口除去中间宽W的裸露光栅区；一表面二级分布反馈光栅，该二级分布反馈光栅制作在上覆盖层上，深度接近上覆盖层；一电极引线，该电极引线制作在表面二级分布反馈光栅两侧台阶上的上欧姆接触电极上。
其他摘要	一种GaAs基单模面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底，及在衬底上依次生长的背欧姆接触电极、下覆盖层、下波导层、有源层、上波导层、上覆盖层、隔离层，该隔离层淀积在上覆盖层上及下波导层的两侧的上面和有源层、上波导层、上覆盖层的侧面，该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口；一上欧姆接触电极，该上欧姆接触电极淀积在隔离层上并覆盖电流注入窗口除去中间宽W的裸露光栅区；一表面二级分布反馈光栅，该二级分布反馈光栅制作在上覆盖层上，深度接近上覆盖层；一电极引线，该电极引线制作在表面二级分布反馈光栅两侧台阶上的上欧姆接触电极上。
申请日期	2006-02-22
专利号	CN101026287A
专利状态	失效
申请号	CN200610003179.1
公开（公告）号	CN101026287A
IPC 分类号	H01S5/20 \| H01S5/187 \| H01S5/343
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90386
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘俊岐,刘峰奇,李路,等. GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法. CN101026287A[P]. 2007-08-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101026287A.PDF（728KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文