Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
发射辐射的半导体本体 | |
其他题名 | 发射辐射的半导体本体 |
马丁·斯特拉斯伯格; 卢茨·赫佩尔; 马蒂亚斯·扎巴蒂尔; 马蒂亚斯·彼得; 乌韦·施特劳斯 | |
2010-03-31 | |
专利权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
公开日期 | 2010-03-31 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明提出了一种发射辐射的半导体本体,其具有接触层(3)和有源区(7),其中该半导体本体具有设置在接触层与有源区之间的隧道结(4),并且有源区具有多量子阱结构,该多量子阱结构包含至少两个有源层(71),所述有源层在工作电流注入到半导体本体中时发射电磁辐射。 |
其他摘要 | 本发明提出了一种发射辐射的半导体本体,其具有接触层(3)和有源区(7),其中该半导体本体具有设置在接触层与有源区之间的隧道结(4),并且有源区具有多量子阱结构,该多量子阱结构包含至少两个有源层(71),所述有源层在工作电流注入到半导体本体中时发射电磁辐射。 |
申请日期 | 2008-06-20 |
专利号 | CN101689594A |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN200880024265.8 |
公开(公告)号 | CN101689594A |
IPC 分类号 | H01L33/00 | H01S5/32 | H01S5/343 | H01S5/40 | H01L33/04 | H01L33/06 | H01L33/32 |
专利代理人 | 陈炜 | 许伟群 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90371 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 马丁·斯特拉斯伯格,卢茨·赫佩尔,马蒂亚斯·扎巴蒂尔,等. 发射辐射的半导体本体. CN101689594A[P]. 2010-03-31. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN101689594A.PDF(1314KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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