OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
发射辐射的半导体本体
其他题名发射辐射的半导体本体
马丁·斯特拉斯伯格; 卢茨·赫佩尔; 马蒂亚斯·扎巴蒂尔; 马蒂亚斯·彼得; 乌韦·施特劳斯
2010-03-31
专利权人欧司朗光电半导体有限公司
公开日期2010-03-31
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提出了一种发射辐射的半导体本体,其具有接触层(3)和有源区(7),其中该半导体本体具有设置在接触层与有源区之间的隧道结(4),并且有源区具有多量子阱结构,该多量子阱结构包含至少两个有源层(71),所述有源层在工作电流注入到半导体本体中时发射电磁辐射。
其他摘要本发明提出了一种发射辐射的半导体本体,其具有接触层(3)和有源区(7),其中该半导体本体具有设置在接触层与有源区之间的隧道结(4),并且有源区具有多量子阱结构,该多量子阱结构包含至少两个有源层(71),所述有源层在工作电流注入到半导体本体中时发射电磁辐射。
申请日期2008-06-20
专利号CN101689594A
专利状态授权
申请号CN200880024265.8
公开(公告)号CN101689594A
IPC 分类号H01L33/00 | H01S5/32 | H01S5/343 | H01S5/40 | H01L33/04 | H01L33/06 | H01L33/32
专利代理人陈炜 | 许伟群
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90371
专题半导体激光器专利数据库
作者单位欧司朗光电半导体有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
马丁·斯特拉斯伯格,卢茨·赫佩尔,马蒂亚斯·扎巴蒂尔,等. 发射辐射的半导体本体. CN101689594A[P]. 2010-03-31.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN101689594A.PDF(1314KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[马丁·斯特拉斯伯格]的文章
[卢茨·赫佩尔]的文章
[马蒂亚斯·扎巴蒂尔]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[马丁·斯特拉斯伯格]的文章
[卢茨·赫佩尔]的文章
[马蒂亚斯·扎巴蒂尔]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[马丁·斯特拉斯伯格]的文章
[卢茨·赫佩尔]的文章
[马蒂亚斯·扎巴蒂尔]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。