Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体光学元件的制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体光学元件的制造方法 |
| 阿部真司; 川崎和重 | |
| 2008-10-01 | |
| 专利权人 | 三菱电机株式会社 |
| 公开日期 | 2008-10-01 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供一种半导体光学元件的制造方法。在波导路径脊的上表面稳定地防止半导体层和电极层的接触面积的减少，并防止该半导体层中的蚀刻损伤。在半导体层上层叠金属保护层(75)形成波导路径(40)，用SiO2膜(78)将其覆盖，涂敷抗蚀剂后，使波导路径脊(40)顶部的SiO2膜(78)的表面露出，并且借助于具有比波导路径脊(40)的金属保护层(75)表面高且比波导路径脊(40)的SiO2膜(78)的表面低的表面的抗蚀剂膜来埋设沟道(38)的SiO2膜(78)，形成抗蚀剂图形(82)，将抗蚀剂图形(82)作为掩膜，利用干蚀刻去除SiO2膜(78)，进而，利用湿蚀刻去除金属保护层(75)，使波导路径脊(40)的p－GaN层(74)表面露出，来形成电极层(46)。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种半导体光学元件的制造方法。在波导路径脊的上表面稳定地防止半导体层和电极层的接触面积的减少，并防止该半导体层中的蚀刻损伤。在半导体层上层叠金属保护层(75)形成波导路径(40)，用SiO2膜(78)将其覆盖，涂敷抗蚀剂后，使波导路径脊(40)顶部的SiO2膜(78)的表面露出，并且借助于具有比波导路径脊(40)的金属保护层(75)表面高且比波导路径脊(40)的SiO2膜(78)的表面低的表面的抗蚀剂膜来埋设沟道(38)的SiO2膜(78)，形成抗蚀剂图形(82)，将抗蚀剂图形(82)作为掩膜，利用干蚀刻去除SiO2膜(78)，进而，利用湿蚀刻去除金属保护层(75)，使波导路径脊(40)的p－GaN层(74)表面露出，来形成电极层(46)。 |
| 申请日期 | 2007-10-15 |
| 专利号 | CN101276993A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200710305756.7 |
| 公开（公告）号 | CN101276993A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/323 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 张雪梅 | 王忠忠 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90370 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿部真司,川崎和重. 半导体光学元件的制造方法. CN101276993A[P]. 2008-10-01. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101276993A.PDF（2023KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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