Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光半导体装置 | |
| 其他题名 | 光半导体装置 |
| 境野刚 | |
| 2016-02-03 | |
| 专利权人 | 三菱电机株式会社 |
| 公开日期 | 2016-02-03 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 得到一种能够兼顾高速动作和高输出化的光半导体装置。台面条带构造(2)具有依次层叠的n型InP包覆层(3)、活性层(4)、以及p型InP包覆层(5)。埋入层(7)埋入在台面条带构造(2)的两侧。活性层(4)是具有阱层和添加有碳的势垒层的多量子阱构造。埋入层(7)具有依次层叠的p型InP层(10)和Fe掺杂InP层(11)。n型InP包覆层(3)的侧面由p型InP层(10)覆盖，与Fe掺杂InP层(11)不相接。活性层(4)的侧面与p型InP层(10)不相接。 |
| 其他摘要 | 得到一种能够兼顾高速动作和高输出化的光半导体装置。台面条带构造(2)具有依次层叠的n型InP包覆层(3)、活性层(4)、以及p型InP包覆层(5)。埋入层(7)埋入在台面条带构造(2)的两侧。活性层(4)是具有阱层和添加有碳的势垒层的多量子阱构造。埋入层(7)具有依次层叠的p型InP层(10)和Fe掺杂InP层(11)。n型InP包覆层(3)的侧面由p型InP层(10)覆盖，与Fe掺杂InP层(11)不相接。活性层(4)的侧面与p型InP层(10)不相接。 |
| 申请日期 | 2015-07-28 |
| 专利号 | CN105305230A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201510450855.9 |
| 公开（公告）号 | CN105305230A |
| IPC 分类号 | H01S5/227 | H01S5/02 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 何立波 | 张天舒 |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90367 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 境野刚. 光半导体装置. CN105305230A[P]. 2016-02-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105305230A.PDF（620KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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