Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体发光器件用外延片和半导体发光器件 | |
| 其他题名 | 半导体发光器件用外延片和半导体发光器件 |
| 铃木良治; 大石昭夫 | |
| 2005-12-07 | |
| 专利权人 | 日立电线株式会社 |
| 公开日期 | 2005-12-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供使得由GaAs构成的p型复盖层的Zn不向披覆层和活性层扩散的发光器件用外延片，进而提供可以得到能够进行稳定的高输出工作和高温工作、且可靠性高的LED和LD的发光器件。本发明的半导体发光器件用外延片，是在n型衬底(1)上至少顺次层积n型披覆层(4)、活性层(6)、p型披覆层(7)、(9)、及p型复盖层(11)，且p型披覆层(7)、(9)的p型掺杂剂是Mg的半导体发光器件用外延片，所述p型复盖层(11)由从衬底侧顺次形成的掺杂Mg的层(11a)和掺杂Zn的(11b)的至少两个层构成。 |
| 其他摘要 | 本发明提供使得由GaAs构成的p型复盖层的Zn不向披覆层和活性层扩散的发光器件用外延片，进而提供可以得到能够进行稳定的高输出工作和高温工作、且可靠性高的LED和LD的发光器件。本发明的半导体发光器件用外延片，是在n型衬底(1)上至少顺次层积n型披覆层(4)、活性层(6)、p型披覆层(7)、(9)、及p型复盖层(11)，且p型披覆层(7)、(9)的p型掺杂剂是Mg的半导体发光器件用外延片，所述p型复盖层(11)由从衬底侧顺次形成的掺杂Mg的层(11a)和掺杂Zn的(11b)的至少两个层构成。 |
| 申请日期 | 2005-05-26 |
| 专利号 | CN1705143A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200510072027.2 |
| 公开（公告）号 | CN1705143A |
| IPC 分类号 | H01L33/14 | H01L33/00 | H01S5/323 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 钟晶 |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90356 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立电线株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 铃木良治,大石昭夫. 半导体发光器件用外延片和半导体发光器件. CN1705143A[P]. 2005-12-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1705143A.PDF（748KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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