Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
硅基单片集成激光器及其制作方法 | |
其他题名 | 硅基单片集成激光器及其制作方法 |
仇超; 龚谦; 武爱民; 高腾; 盛振; 甘甫烷; 赵颖璇; 李军 | |
2017-07-14 | |
专利权人 | 上海新微科技服务有限公司 |
公开日期 | 2017-07-14 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明提供一种硅基单片集成激光器及其制作方法,包括:1)于SOI衬底表面制作图形掩膜;2)刻蚀顶层硅及埋氧化硅层,形成直至衬底硅的限向结构;3)于限向结构内生长Ge外延层;4)在Ge外延层上外延生长III‑V族材料,控制Ge厚度和III‑V族材料的厚度,使得III‑V族材料的发光层与SOI衬底的顶层硅层在高度方向上精确对准。本发明利用SOI材料的底层硅作为衬底,通过Ge作为过渡层,实现III‑V族材料的硅上直接外延工艺,设计Ge的厚度和III‑V族材料的厚度,实现III‑V族材料的发光层与顶层硅的对准,使得III‑V族激光器和硅光子器件在高度方向上精确对准;通过光刻、刻蚀等工艺实现III‑V族激光器与其他硅光子器件在水平方向上高精度对准。另外,本发明可提高激光器的热扩散性能。 |
其他摘要 | 本发明提供一种硅基单片集成激光器及其制作方法,包括:1)于SOI衬底表面制作图形掩膜;2)刻蚀顶层硅及埋氧化硅层,形成直至衬底硅的限向结构;3)于限向结构内生长Ge外延层;4)在Ge外延层上外延生长III‑V族材料,控制Ge厚度和III‑V族材料的厚度,使得III‑V族材料的发光层与SOI衬底的顶层硅层在高度方向上精确对准。本发明利用SOI材料的底层硅作为衬底,通过Ge作为过渡层,实现III‑V族材料的硅上直接外延工艺,设计Ge的厚度和III‑V族材料的厚度,实现III‑V族材料的发光层与顶层硅的对准,使得III‑V族激光器和硅光子器件在高度方向上精确对准;通过光刻、刻蚀等工艺实现III‑V族激光器与其他硅光子器件在水平方向上高精度对准。另外,本发明可提高激光器的热扩散性能。 |
申请日期 | 2017-02-14 |
专利号 | CN106953234A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201710078430.9 |
公开(公告)号 | CN106953234A |
IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/32 |
专利代理人 | 罗泳文 |
代理机构 | 上海光华专利事务所 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90352 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 上海新微科技服务有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 仇超,龚谦,武爱民,等. 硅基单片集成激光器及其制作方法. CN106953234A[P]. 2017-07-14. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN106953234A.PDF(174KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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