Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种Si基大功率激光器及其制备方法 | |
其他题名 | 一种Si基大功率激光器及其制备方法 |
李亮; 刘应军; 岳爱文; 王任凡 | |
2016-12-07 | |
专利权人 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
公开日期 | 2016-12-07 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明涉及激光器技术领域,提供了一种Si基大功率激光器及其制备方法。其中,制造方法包括在Si衬底上刻蚀出沟槽;在沟槽中依次生长第一InP缓冲层和第二InP缓冲层,其中,第一缓冲层和第二缓冲层厚度总和超过沟槽深度;在第二InP缓冲层上生长第三InP/InGaAsP超晶格缓冲层和第四InP顶层缓冲层;在第四InP顶层上依次生长下限制层、多量子阱和上限制层,完成激光器外延工艺。本发明采用图形沟槽衬底、高深宽比限制和低温低压生长多层缓冲层结构,有效的解决了Si/InP的晶格失配位错的产生和反相畴在垂直方向上向外延层的延伸,从而得到高质量的InP外延层和激光器结构。 |
其他摘要 | 本发明涉及激光器技术领域,提供了一种Si基大功率激光器及其制备方法。其中,制造方法包括在Si衬底上刻蚀出沟槽;在沟槽中依次生长第一InP缓冲层和第二InP缓冲层,其中,第一缓冲层和第二缓冲层厚度总和超过沟槽深度;在第二InP缓冲层上生长第三InP/InGaAsP超晶格缓冲层和第四InP顶层缓冲层;在第四InP顶层上依次生长下限制层、多量子阱和上限制层,完成激光器外延工艺。本发明采用图形沟槽衬底、高深宽比限制和低温低压生长多层缓冲层结构,有效的解决了Si/InP的晶格失配位错的产生和反相畴在垂直方向上向外延层的延伸,从而得到高质量的InP外延层和激光器结构。 |
申请日期 | 2016-08-31 |
专利号 | CN106207752A |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201610787924.X |
公开(公告)号 | CN106207752A |
IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/223 | H01S5/343 | H01S5/12 |
专利代理人 | 何婷 |
代理机构 | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90342 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李亮,刘应军,岳爱文,等. 一种Si基大功率激光器及其制备方法. CN106207752A[P]. 2016-12-07. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN106207752A.PDF(240KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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