Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化鎵系半導體雷射二極體 | |
| 其他题名 | 氮化鎵系半導體雷射二極體 |
| 住友隆道; 鹽谷陽平; 善積祐介; 上野昌紀; 秋田勝史; 京野孝史 | |
| 2011-05-01 | |
| 专利权人 | 住友電氣工業股份有限公司 |
| 公开日期 | 2011-05-01 |
| 授权国家 | 中国台湾 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本發明提供一種氮化鎵系半導體雷射二極體,其能夠使用半極性面而實現500nm以上之光之雷射振盪。活性層29設置成產生波長500nm以上之光,因此應被封鎖於核心半導體區域29之光之波長為長波長,使用雙層結構之第一導光層27及雙層結構之第二導光層31。包含AlGaN及InAlGaN中之至少任意一者的包覆層21之材料不同於III族氮化物半導體,並且第一磊晶半導體區域15之厚度D15較核心半導體區域19之厚度D19更厚,但第一至第三界面J1、J2、J3之參差錯位密度為1106cm-1以下。III族氮化物半導體雷射二極體中,能夠避免c面作為滑移面作用時之晶格緩和產生於界面J1、J2、J3之該半導體層中。 |
| 其他摘要 | 本發明提供一種氮化鎵系半導體雷射二極體,其能夠使用半極性面而實現500nm以上之光之雷射振盪。活性層29設置成產生波長500nm以上之光,因此應被封鎖於核心半導體區域29之光之波長為長波長,使用雙層結構之第一導光層27及雙層結構之第二導光層31。包含AlGaN及InAlGaN中之至少任意一者的包覆層21之材料不同於III族氮化物半導體,並且第一磊晶半導體區域15之厚度D15較核心半導體區域19之厚度D19更厚,但第一至第三界面J1、J2、J3之參差錯位密度為1106cm-1以下。III族氮化物半導體雷射二極體中,能夠避免c面作為滑移面作用時之晶格緩和產生於界面J1、J2、J3之該半導體層中。 |
| 申请日期 | 2010-07-15 |
| 专利号 | TW201115869A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | TW099123334 |
| 公开（公告）号 | TW201115869A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/20 |
| 专利代理人 | 陳長文 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90336 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電氣工業股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 住友隆道,鹽谷陽平,善積祐介,等. 氮化鎵系半導體雷射二極體. TW201115869A[P]. 2011-05-01. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| TW201115869A.PDF（1494KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [住友隆道]的文章 |
| [鹽谷陽平]的文章 |
| [善積祐介]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [住友隆道]的文章 |
| [鹽谷陽平]的文章 |
| [善積祐介]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [住友隆道]的文章 |
| [鹽谷陽平]的文章 |
| [善積祐介]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论