Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導體雷射裝置及其製造方法 | |
| 其他题名 | 半導體雷射裝置及其製造方法 |
| 川津善平; 宮下宗治; 八木哲哉 | |
| 2001-11-21 | |
| 专利权人 | 三菱電機股份有限公司 |
| 公开日期 | 2001-11-21 |
| 授权国家 | 中国台湾 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本發明係關於一種臨限電流低、電流-光輸出特性之溫度特性惡化少的半導體雷射裝置，由於其包含有:當使用矽(Si)作為基板之n型摻質(dopant)，使用鋅(Zn)作為基板之p型摻質時，將矽雜質濃度設為O.lx10^17cm¯3以上5 X10^18cm¯3以下的砷化鎵(GaAs)半導體基板l;配設於該基板上之非摻雜之A10.15Ga0.85As的主動層4;該主動層4上之n-AI0.48Ga0.52As的第一個上包覆層5;以及該第一個上包覆層5上之n-A10.55Ga0.45As的電流塊層7，所以可因降低基板l與n側電極ll之接觸電阻，而防止鋅從第一個上包覆層5擴散至主動層4中，且可有效地進行對主動層之載體封閉，以減少內部損失。 |
| 其他摘要 | 本發明係關於一種臨限電流低、電流-光輸出特性之溫度特性惡化少的半導體雷射裝置，由於其包含有:當使用矽(Si)作為基板之n型摻質(dopant)，使用鋅(Zn)作為基板之p型摻質時，將矽雜質濃度設為O.lx10^17cm¯3以上5 X10^18cm¯3以下的砷化鎵(GaAs)半導體基板l;配設於該基板上之非摻雜之A10.15Ga0.85As的主動層4;該主動層4上之n-AI0.48Ga0.52As的第一個上包覆層5;以及該第一個上包覆層5上之n-A10.55Ga0.45As的電流塊層7，所以可因降低基板l與n側電極ll之接觸電阻，而防止鋅從第一個上包覆層5擴散至主動層4中，且可有效地進行對主動層之載體封閉，以減少內部損失。 |
| 申请日期 | 2000-07-25 |
| 专利号 | TW465154B |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | TW089114813 |
| 公开（公告）号 | TW465154B |
| IPC 分类号 | H01S5/223 | H01S5/20 | H01S5/323 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 賴經臣 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90312 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川津善平,宮下宗治,八木哲哉. 半導體雷射裝置及其製造方法. TW465154B[P]. 2001-11-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| TW465154B.PDF（1616KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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