Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体基板的制造方法

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	Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体基板的制造方法
其他题名	Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体基板的制造方法
	上田和正; 西川直宏; 笠原健司
	2009-05-13
专利权人	住友化学株式会社
公开日期	2009-05-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及III－V族氮化物半导体基板的制造方法。本发明的III－V族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(I－1)～(I－6)：(I－1)在衬底基板上配置无机粒子；(I－2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(I－3)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(I－4)去除无机粒子形成衬底基板的露出面；(I－5)在衬底基板的露出面上生长III－V族氮化物半导体；(I－6)将III－V族氮化物半导体与衬底基板分离。此外，本发明的III－V族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(II－1)～(II－7)：(II－1)在衬底基板上配置无机粒子；(II－2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(II－3)去除无机粒子；(II－4)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(II－5)去除凸部的顶部的被膜形成衬底基板的露出面；(II－6)在衬底基板的露出面上生长III－V族氮化物半导体；(II－7)将III－V族氮化物半导体与衬底基板分离。
其他摘要	本发明涉及III－V族氮化物半导体基板的制造方法。本发明的III－V族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(I－1)～(I－6)：(I－1)在衬底基板上配置无机粒子；(I－2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(I－3)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(I－4)去除无机粒子形成衬底基板的露出面；(I－5)在衬底基板的露出面上生长III－V族氮化物半导体；(I－6)将III－V族氮化物半导体与衬底基板分离。此外，本发明的III－V族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(II－1)～(II－7)：(II－1)在衬底基板上配置无机粒子；(II－2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(II－3)去除无机粒子；(II－4)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(II－5)去除凸部的顶部的被膜形成衬底基板的露出面；(II－6)在衬底基板的露出面上生长III－V族氮化物半导体；(II－7)将III－V族氮化物半导体与衬底基板分离。
申请日期	2007-03-08
专利号	CN101432850A
专利状态	授权
申请号	CN200780008086.0
公开（公告）号	CN101432850A
IPC 分类号	H01L21/205 \| C30B29/38 \| H01L33/00 \| H01S5/323 \| H01L33/32
专利代理人	朱丹
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90301
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	住友化学株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	上田和正,西川直宏,笠原健司. Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体基板的制造方法. CN101432850A[P]. 2009-05-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101432850A.PDF（786KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文