Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法 | |
| 其他题名 | 自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法 |
| 刘金龙; 李树深; 牛智川 | |
| 2004-11-24 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2004-11-24 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法，包括如下步骤：将砷化镓衬底进行脱氧处理，然后生长砷化镓缓冲层；砷化镓衬底温度；退火后采用循环停顿生长方法，生长出砷化铟量子点；生长厚为一个原子层至15nm的砷化镓；重复3－4步骤1－40个循环，循环累积生长自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点，提高材料的发光效率；生长1－30个原子层的砷化铝扩散阻挡层用于阻止铟原子扩散；生长1－30nm的铟镓砷缓冲层以减缓应力的变化；最后生长5－300nm的砷化镓盖层来保护所生长的材料。 |
| 其他摘要 | 一种自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法，包括如下步骤：将砷化镓衬底进行脱氧处理，然后生长砷化镓缓冲层；砷化镓衬底温度；退火后采用循环停顿生长方法，生长出砷化铟量子点；生长厚为一个原子层至15nm的砷化镓；重复3－4步骤1－40个循环，循环累积生长自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点，提高材料的发光效率；生长1－30个原子层的砷化铝扩散阻挡层用于阻止铟原子扩散；生长1－30nm的铟镓砷缓冲层以减缓应力的变化；最后生长5－300nm的砷化镓盖层来保护所生长的材料。 |
| 申请日期 | 2003-05-21 |
| 专利号 | CN1549411A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN03137828.5 |
| 公开（公告）号 | CN1549411A |
| IPC 分类号 | H01L21/00 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90288 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘金龙,李树深,牛智川. 自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法. CN1549411A[P]. 2004-11-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1549411A.PDF（464KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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