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减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法
其他题名减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法
乐伶聪; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 何晓光; 李晓静; 杨辉
2014-07-30
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-07-30
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法,包括以下步骤:步骤1:在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型GaN接触层;步骤2:采用光刻的方法,在p型GaN接触层上面的一侧向下刻蚀,刻蚀深度到达n型接触和电流扩展层,使n型接触和电流扩展层的表面形成一台面;步骤3:在n型接触和电流扩展层表面形成的台面上制作n型电极;步骤4:在p型GaN接触层的上表面制作一p型电极,完成制备。本发明可以提高电子跃过AlGaN电子阻挡层的有效势垒高度,从而减小电子泄漏,提高GaN基蓝紫光激光器性能。
其他摘要一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法,包括以下步骤:步骤1:在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型GaN接触层;步骤2:采用光刻的方法,在p型GaN接触层上面的一侧向下刻蚀,刻蚀深度到达n型接触和电流扩展层,使n型接触和电流扩展层的表面形成一台面;步骤3:在n型接触和电流扩展层表面形成的台面上制作n型电极;步骤4:在p型GaN接触层的上表面制作一p型电极,完成制备。本发明可以提高电子跃过AlGaN电子阻挡层的有效势垒高度,从而减小电子泄漏,提高GaN基蓝紫光激光器性能。
申请日期2014-05-15
专利号CN103956653A
专利状态授权
申请号CN201410204718.2
公开(公告)号CN103956653A
IPC 分类号H01S5/06
专利代理人任岩
代理机构中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90262
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
乐伶聪,赵德刚,江德生,等. 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法. CN103956653A[P]. 2014-07-30.
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