Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 | |
其他题名 | 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 |
乐伶聪; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 何晓光; 李晓静; 杨辉 | |
2014-07-30 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2014-07-30 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法,包括以下步骤:步骤1:在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型GaN接触层;步骤2:采用光刻的方法,在p型GaN接触层上面的一侧向下刻蚀,刻蚀深度到达n型接触和电流扩展层,使n型接触和电流扩展层的表面形成一台面;步骤3:在n型接触和电流扩展层表面形成的台面上制作n型电极;步骤4:在p型GaN接触层的上表面制作一p型电极,完成制备。本发明可以提高电子跃过AlGaN电子阻挡层的有效势垒高度,从而减小电子泄漏,提高GaN基蓝紫光激光器性能。 |
其他摘要 | 一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法,包括以下步骤:步骤1:在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型GaN接触层;步骤2:采用光刻的方法,在p型GaN接触层上面的一侧向下刻蚀,刻蚀深度到达n型接触和电流扩展层,使n型接触和电流扩展层的表面形成一台面;步骤3:在n型接触和电流扩展层表面形成的台面上制作n型电极;步骤4:在p型GaN接触层的上表面制作一p型电极,完成制备。本发明可以提高电子跃过AlGaN电子阻挡层的有效势垒高度,从而减小电子泄漏,提高GaN基蓝紫光激光器性能。 |
申请日期 | 2014-05-15 |
专利号 | CN103956653A |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201410204718.2 |
公开(公告)号 | CN103956653A |
IPC 分类号 | H01S5/06 |
专利代理人 | 任岩 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90262 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 乐伶聪,赵德刚,江德生,等. 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法. CN103956653A[P]. 2014-07-30. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN103956653A.PDF(563KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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