Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 在半导体衬底上制作集成半导体元件的方法 | |
| 其他题名 | 在半导体衬底上制作集成半导体元件的方法 |
| P·N·斯塔夫里诺; T·S·琼斯; G·帕里 | |
| 2005-05-18 | |
| 专利权人 | 埃皮克有限公司 |
| 公开日期 | 2005-05-18 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 提供了一种在衬底上制作多个半导体元件的方法，所述方法包含下列步骤：在所述衬底的表面上形成预定的凹凸图形；以及在所述表面上外延淀积由二种或更多种III族元素和二种或更多种V族元素的混合物组成的层；其中，所述凹凸图形导致单个步骤中淀积的所述层在具有不同凹凸图形特性的区域中形成有所述V族元素之间的不同的比率，以便在所述不同区域中提供不同的带隙。 |
| 其他摘要 | 提供了一种在衬底上制作多个半导体元件的方法，所述方法包含下列步骤：在所述衬底的表面上形成预定的凹凸图形；以及在所述表面上外延淀积由二种或更多种III族元素和二种或更多种V族元素的混合物组成的层；其中，所述凹凸图形导致单个步骤中淀积的所述层在具有不同凹凸图形特性的区域中形成有所述V族元素之间的不同的比率，以便在所述不同区域中提供不同的带隙。 |
| 申请日期 | 2002-11-26 |
| 专利号 | CN1618115A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN02827737 |
| 公开（公告）号 | CN1618115A |
| IPC 分类号 | G02F1/017 | C30B25/12 | H01L21/20 | H01L21/205 | H01S5/026 | H01S5/20 | H01S5/323 | H01S5/40 | H01S5/50 | C30B25/18 |
| 专利代理人 | 肖春京 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90230 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 埃皮克有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | P·N·斯塔夫里诺,T·S·琼斯,G·帕里. 在半导体衬底上制作集成半导体元件的方法. CN1618115A[P]. 2005-05-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1618115A.PDF（893KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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