用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法

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	用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法
其他题名	用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法
	闫发旺; 高海永; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
	2008-12-24
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2008-12-24
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法，包括如下步骤：在用于氮化物外延生长的蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅膜；利用常规光刻技术制备出光刻图形的掩膜；利用氢氟酸+氟化氨+H2O混合液，将光刻图形刻蚀到二氧化硅膜上；以图形二氧化硅膜作为掩膜，采用硫酸和磷酸的混合液湿法刻蚀蓝宝石衬底，将图形刻蚀到蓝宝石衬底上；利用稀氢氟酸溶液湿法腐蚀去掉残余的二氧化硅膜，并将蓝宝石衬底清洗干净，完成图形蓝宝石衬底的制备。该制作方法具有成本低、使蓝宝石衬底免于干法刻蚀损伤等优点。该图形蓝宝石衬底可用于低位错密度、高晶体质量氮化物的外延生长。
其他摘要	一种用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法，包括如下步骤：在用于氮化物外延生长的蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅膜；利用常规光刻技术制备出光刻图形的掩膜；利用氢氟酸+氟化氨+H2O混合液，将光刻图形刻蚀到二氧化硅膜上；以图形二氧化硅膜作为掩膜，采用硫酸和磷酸的混合液湿法刻蚀蓝宝石衬底，将图形刻蚀到蓝宝石衬底上；利用稀氢氟酸溶液湿法腐蚀去掉残余的二氧化硅膜，并将蓝宝石衬底清洗干净，完成图形蓝宝石衬底的制备。该制作方法具有成本低、使蓝宝石衬底免于干法刻蚀损伤等优点。该图形蓝宝石衬底可用于低位错密度、高晶体质量氮化物的外延生长。
申请日期	2007-06-20
专利号	CN101330002A
专利状态	失效
申请号	CN200710117617.1
公开（公告）号	CN101330002A
IPC 分类号	H01L21/02 \| H01L33/00 \| H01L31/18 \| H01S5/00
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90215
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	闫发旺,高海永,张扬,等. 用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法. CN101330002A[P]. 2008-12-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101330002A.PDF（447KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文