Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 用选择性面外延产生的垂直光学腔 | |
| 其他题名 | 用选择性面外延产生的垂直光学腔 |
| G·S·李; 袁务本; C·J·仓－哈斯莲恩 | |
| 2001-05-16 | |
| 专利权人 | 班威斯9公司 |
| 公开日期 | 2001-05-16 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种单片垂直光学腔装置(100),具有底部分布布喇格反射器(DBR)、由利用选择性面外延(SAE)掩膜生长在底部DBR顶部上至少一个光敏层组成的量子阱(QW)区域,以致于光敏层在垂直于垂直方向的水平面内展现至少一个物理参数的偏差、以及淀积在QW区域(70)顶部上的顶部DBR。该装置具有沿底部DBR(50)和顶部DBR(76)之间垂直方向限定的可变法布里一珀罗距离(82)和光敏层的可变物理参数。 |
| 其他摘要 | 一种单片垂直光学腔装置(100),具有底部分布布喇格反射器(DBR)、由利用选择性面外延(SAE)掩膜生长在底部DBR顶部上至少一个光敏层组成的量子阱(QW)区域,以致于光敏层在垂直于垂直方向的水平面内展现至少一个物理参数的偏差、以及淀积在QW区域(70)顶部上的顶部DBR。该装置具有沿底部DBR(50)和顶部DBR(76)之间垂直方向限定的可变法布里一珀罗距离(82)和光敏层的可变物理参数。 |
| 申请日期 | 1999-02-24 |
| 专利号 | CN1295730A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN99804655 |
| 公开（公告）号 | CN1295730A |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/20 | H01S5/40 | H01S5/42 | H01S5/32 |
| 专利代理人 | 李玲 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90203 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 班威斯9公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | G·S·李,袁务本,C·J·仓－哈斯莲恩. 用选择性面外延产生的垂直光学腔. CN1295730A[P]. 2001-05-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1295730A.PDF（824KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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