多波段硅基微盘混合激光器及其制备方法

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	多波段硅基微盘混合激光器及其制备方法
其他题名	多波段硅基微盘混合激光器及其制备方法
	钱波; 蒋春萍; 王亦
	2010-11-24
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期	2010-11-24
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明揭示了一种多波段硅基微盘混合激光器及其制备方法，其中激光器的主要结构为形成于硅基底上的微盘微腔集合体，且各微盘表面设有波段可调的增益介质。增益介质为与SiO2微盘基底结合牢固的薄膜介质材料，激光波段由增益介质波段决定；模式位置由SiO2微盘结构尺寸和薄膜自身厚度决定。本发明制作过程基于现代微电子成熟工艺制备而成，该硅基微盘微腔结构，不仅可以作为硅基光源器件，也可以作为硅芯片为基底的光互联通讯、光子计算芯片、硅基传感器、滤波器、探测器的核心元件，拥有高灵敏度、低成本、宽范围、芯片可集成等优点。在腔量子电动力学即微腔限制情况下光与物质相互作用等量子光学和量子信息研究领域也具有重要意义。
其他摘要	本发明揭示了一种多波段硅基微盘混合激光器及其制备方法，其中激光器的主要结构为形成于硅基底上的微盘微腔集合体，且各微盘表面设有波段可调的增益介质。增益介质为与SiO2微盘基底结合牢固的薄膜介质材料，激光波段由增益介质波段决定；模式位置由SiO2微盘结构尺寸和薄膜自身厚度决定。本发明制作过程基于现代微电子成熟工艺制备而成，该硅基微盘微腔结构，不仅可以作为硅基光源器件，也可以作为硅芯片为基底的光互联通讯、光子计算芯片、硅基传感器、滤波器、探测器的核心元件，拥有高灵敏度、低成本、宽范围、芯片可集成等优点。在腔量子电动力学即微腔限制情况下光与物质相互作用等量子光学和量子信息研究领域也具有重要意义。
申请日期	2010-06-10
专利号	CN101895060A
专利状态	失效
申请号	CN201010196468.4
公开（公告）号	CN101895060A
IPC 分类号	H01S5/10 \| H01S5/30
专利代理人	陈忠辉
代理机构	南京苏科专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90175
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	钱波,蒋春萍,王亦. 多波段硅基微盘混合激光器及其制备方法. CN101895060A[P]. 2010-11-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101895060A.PDF（459KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文