Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体发光元件及其制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体发光元件及其制造方法 |
| 冈贵郁; 阿部真司; 川崎和重; 佐久间仁 | |
| 2011-08-10 | |
| 专利权人 | 三菱电机株式会社 |
| 公开日期 | 2011-08-10 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。在n型GaN衬底（10）上形成有半导体层叠结构（12）。在半导体层叠结构（12）的上部形成有脊部（26）。沟道部（28）与脊部（26）相邻。平台部（30）与沟道部（28）的脊部（26）的相反侧相邻。第一绝缘膜（32）覆盖沟道部（28）。第一绝缘膜（32）在脊部（26）以及平台部（30）上具有开口。在第一绝缘膜（32）上形成有单层粘接层（34）。Pd电极（36）覆盖脊部（26）以及单层粘接层（34）的一部分，并且与脊部（26）的p型GaN接触层（24）连接。第二绝缘膜（38）覆盖单层粘接层（34）的未被Pd电极（36）覆盖的部分以及平台部（30）。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。在n型GaN衬底（10）上形成有半导体层叠结构（12）。在半导体层叠结构（12）的上部形成有脊部（26）。沟道部（28）与脊部（26）相邻。平台部（30）与沟道部（28）的脊部（26）的相反侧相邻。第一绝缘膜（32）覆盖沟道部（28）。第一绝缘膜（32）在脊部（26）以及平台部（30）上具有开口。在第一绝缘膜（32）上形成有单层粘接层（34）。Pd电极（36）覆盖脊部（26）以及单层粘接层（34）的一部分，并且与脊部（26）的p型GaN接触层（24）连接。第二绝缘膜（38）覆盖单层粘接层（34）的未被Pd电极（36）覆盖的部分以及平台部（30）。 |
| 申请日期 | 2011-02-01 |
| 专利号 | CN102148477A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201110034238.2 |
| 公开（公告）号 | CN102148477A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/24 |
| 专利代理人 | 闫小龙 | 王忠忠 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90163 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冈贵郁,阿部真司,川崎和重,等. 半导体发光元件及其制造方法. CN102148477A[P]. 2011-08-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102148477A.PDF（620KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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