Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半导体发光元件及其制造方法 | |
其他题名 | 半导体发光元件及其制造方法 |
冈贵郁; 阿部真司; 川崎和重; 佐久间仁 | |
2011-08-10 | |
专利权人 | 三菱电机株式会社 |
公开日期 | 2011-08-10 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。在n型GaN衬底(10)上形成有半导体层叠结构(12)。在半导体层叠结构(12)的上部形成有脊部(26)。沟道部(28)与脊部(26)相邻。平台部(30)与沟道部(28)的脊部(26)的相反侧相邻。第一绝缘膜(32)覆盖沟道部(28)。第一绝缘膜(32)在脊部(26)以及平台部(30)上具有开口。在第一绝缘膜(32)上形成有单层粘接层(34)。Pd电极(36)覆盖脊部(26)以及单层粘接层(34)的一部分,并且与脊部(26)的p型GaN接触层(24)连接。第二绝缘膜(38)覆盖单层粘接层(34)的未被Pd电极(36)覆盖的部分以及平台部(30)。 |
其他摘要 | 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。在n型GaN衬底(10)上形成有半导体层叠结构(12)。在半导体层叠结构(12)的上部形成有脊部(26)。沟道部(28)与脊部(26)相邻。平台部(30)与沟道部(28)的脊部(26)的相反侧相邻。第一绝缘膜(32)覆盖沟道部(28)。第一绝缘膜(32)在脊部(26)以及平台部(30)上具有开口。在第一绝缘膜(32)上形成有单层粘接层(34)。Pd电极(36)覆盖脊部(26)以及单层粘接层(34)的一部分,并且与脊部(26)的p型GaN接触层(24)连接。第二绝缘膜(38)覆盖单层粘接层(34)的未被Pd电极(36)覆盖的部分以及平台部(30)。 |
申请日期 | 2011-02-01 |
专利号 | CN102148477A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN201110034238.2 |
公开(公告)号 | CN102148477A |
IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/24 |
专利代理人 | 闫小龙 | 王忠忠 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90163 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三菱电机株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 冈贵郁,阿部真司,川崎和重,等. 半导体发光元件及其制造方法. CN102148477A[P]. 2011-08-10. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN102148477A.PDF(620KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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