光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法

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	光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法
其他题名	光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法
	植竹理人; 高林和雅
	2013-08-14
专利权人	富士通株式会社
公开日期	2013-08-14
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本申请揭示一种光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法。该光学半导体器件包括：波导单元，形成在具有（100）平面的半导体衬底上并且包括用来传播光的芯层；光斑尺寸转换单元，形成在该半导体衬底上，通过光学方式连接到该波导单元，并且转换传播光的直径；以及一对阶梯部，形成在该半导体衬底上并且在夹设该光斑尺寸转换单元的同时彼此相对。将该光斑尺寸转换单元夹设在该对阶梯部中的同时彼此相对的相对单元之间的间隔是变化的，而且所述相对单元中每一个均包括取向相对于[011]方向朝向[0-11]方向倾斜的部分，以及该光斑尺寸转换单元上端的位置高于该波导单元上端的位置。
其他摘要	本申请揭示一种光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法。该光学半导体器件包括：波导单元，形成在具有（100）平面的半导体衬底上并且包括用来传播光的芯层；光斑尺寸转换单元，形成在该半导体衬底上，通过光学方式连接到该波导单元，并且转换传播光的直径；以及一对阶梯部，形成在该半导体衬底上并且在夹设该光斑尺寸转换单元的同时彼此相对。将该光斑尺寸转换单元夹设在该对阶梯部中的同时彼此相对的相对单元之间的间隔是变化的，而且所述相对单元中每一个均包括取向相对于[011]方向朝向[0-11]方向倾斜的部分，以及该光斑尺寸转换单元上端的位置高于该波导单元上端的位置。
申请日期	2013-02-04
专利号	CN103247936A
专利状态	授权
申请号	CN201310043724.X
公开（公告）号	CN103247936A
IPC 分类号	H01S5/223 \| H01S5/227 \| G02B6/122 \| G02B6/13
专利代理人	张浴月 \| 陈昌柏
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90160
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	富士通株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	植竹理人,高林和雅. 光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法. CN103247936A[P]. 2013-08-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103247936A.PDF（1152KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文