叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法

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	叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法
其他题名	叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法
	邓秋芳; 梁松; 许俊杰; 朱洪亮
	2017-03-22
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2017-03-22
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法，包括：在衬底上制作选区介质掩膜条对；并依次生长InP缓冲层、下分别限制层、下层多量子阱层、刻蚀终止层、上层多量子阱层以及上分别限制层；去掉部分上分别限制层和上层多量子阱层；除去部分刻蚀终止层和下层多量子阱层；对接生长无源波导芯层；在上分别限制层上制作分布反馈光栅，并依次外延生长光栅覆盖层、掺杂盖层以及重掺杂接触层，并刻蚀掉部分重掺杂接触层；刻蚀有源波导、无源波导和深波导结构；并生长绝缘介质层；开电极接触窗口；制备金属P电极；并形成隔离沟；在衬底的背面制作另一金属N电极，完成芯片制备。
其他摘要	一种叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法，包括：在衬底上制作选区介质掩膜条对；并依次生长InP缓冲层、下分别限制层、下层多量子阱层、刻蚀终止层、上层多量子阱层以及上分别限制层；去掉部分上分别限制层和上层多量子阱层；除去部分刻蚀终止层和下层多量子阱层；对接生长无源波导芯层；在上分别限制层上制作分布反馈光栅，并依次外延生长光栅覆盖层、掺杂盖层以及重掺杂接触层，并刻蚀掉部分重掺杂接触层；刻蚀有源波导、无源波导和深波导结构；并生长绝缘介质层；开电极接触窗口；制备金属P电极；并形成隔离沟；在衬底的背面制作另一金属N电极，完成芯片制备。
申请日期	2016-12-22
专利号	CN106532434A
专利状态	授权
申请号	CN201611202129.6
公开（公告）号	CN106532434A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/40
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90155
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	邓秋芳,梁松,许俊杰,等. 叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法. CN106532434A[P]. 2017-03-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106532434A.PDF（245KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文