InP基板上的Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ多层结构

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	InP基板上的Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ多层结构
其他题名	InP基板上的Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ多层结构
	孙晓光; 托马斯·J·米勒; 迈克尔·A·哈斯
	2007-05-16
专利权人	3M创新有限公司
公开日期	2007-05-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	提供一种包括InP基板和II－VI及III－V材料交替层的多层结构。一般地，II－VI及III－V材料交替层与InP基板晶格匹配或者假同晶。一般地，II－VI材料选自ZnSe、CdSe、BeSe、MgSe、ZnTe、CdTe、BeTe、MgTe、ZnS、CdS、BeS、MgS和它们的合金，更一般地，选自CdZnSe、CdMgZnSe、BeZnTe和BeMgZnTe合金，最一般选自CdxZn1－xSe，其中x在0.44和0.54之间。一般地，III－V族材料选自InAs、AlAs、GaAs、InP、AlP、GaP、InSb、AlSb、GaSb和它们的合金，更一般地选自InP、InAlAs、GaInAs、AlInGaAs和GaInAsP合金，最一般地选自InP或InyAl1－yAs，其中y在0.44和0.52之间。在一个实施方案中，该多层结构形成一个或多个分布布喇格反射镜(DBR)。另一方面，本发明提供一种含有InP基板和分布布喇格反射镜(DBR)的多层结构，该分布布喇格反射镜具有95％或更高的反射率并至多包括15对外延半导体材料涂层。另一方面，本发明提供一种含有本发明所述多层结构的激光器。另一方面，本发明提供一种含有本发明所述多层结构的光电探测器。
其他摘要	提供一种包括InP基板和II－VI及III－V材料交替层的多层结构。一般地，II－VI及III－V材料交替层与InP基板晶格匹配或者假同晶。一般地，II－VI材料选自ZnSe、CdSe、BeSe、MgSe、ZnTe、CdTe、BeTe、MgTe、ZnS、CdS、BeS、MgS和它们的合金，更一般地，选自CdZnSe、CdMgZnSe、BeZnTe和BeMgZnTe合金，最一般选自CdxZn1－xSe，其中x在0.44和0.54之间。一般地，III－V族材料选自InAs、AlAs、GaAs、InP、AlP、GaP、InSb、AlSb、GaSb和它们的合金，更一般地选自InP、InAlAs、GaInAs、AlInGaAs和GaInAsP合金，最一般地选自InP或InyAl1－yAs，其中y在0.44和0.52之间。在一个实施方案中，该多层结构形成一个或多个分布布喇格反射镜(DBR)。另一方面，本发明提供一种含有InP基板和分布布喇格反射镜(DBR)的多层结构，该分布布喇格反射镜具有95％或更高的反射率并至多包括15对外延半导体材料涂层。另一方面，本发明提供一种含有本发明所述多层结构的激光器。另一方面，本发明提供一种含有本发明所述多层结构的光电探测器。
申请日期	2005-04-29
专利号	CN1965452A
专利状态	失效
申请号	CN200580018674.3
公开（公告）号	CN1965452A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01L31/0248 \| H01L33/00 \| H01S5/02 \| H01S5/32
专利代理人	梁晓广 \| 陆锦华
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90120
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	3M创新有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	孙晓光,托马斯·J·米勒,迈克尔·A·哈斯. InP基板上的Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ多层结构. CN1965452A[P]. 2007-05-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1965452A.PDF（633KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文