Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体发光器件 | |
| 其他题名 | 半导体发光器件 |
| 仓桥孝尚; 村上哲朗; 大山尚一; 中津弘志 | |
| 2006-03-29 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2006-03-29 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种谐振腔型发光二极管，包括：由n型AlAs或Al0.5Ga0.5As制成的第一DBR；量子阱有源层；由p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P或Al0.5In0.5P制成的第二DBR；以及，位于n型GaAs衬底上的n型电流限制层。第一DBR和第二DBR形成谐振腔。量子阱有源层形成在谐振腔内驻波的波腹位置处。在第二DBR与电流限制层之间，提供有p型GaP蚀刻保护层，其具有通过用厚度除以电阻率而获得的1×103Ω或更高的值。由于电流限制层中形成的电流流动通道的电流几乎不会扩散到电流流动通道的外侧，所以几乎不会生成低电流密度区域而造成量子阱层响应速度的下降。因此，该发光二极管有很好的高速响应。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种谐振腔型发光二极管，包括：由n型AlAs或Al0.5Ga0.5As制成的第一DBR；量子阱有源层；由p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P或Al0.5In0.5P制成的第二DBR；以及，位于n型GaAs衬底上的n型电流限制层。第一DBR和第二DBR形成谐振腔。量子阱有源层形成在谐振腔内驻波的波腹位置处。在第二DBR与电流限制层之间，提供有p型GaP蚀刻保护层，其具有通过用厚度除以电阻率而获得的1×103Ω或更高的值。由于电流限制层中形成的电流流动通道的电流几乎不会扩散到电流流动通道的外侧，所以几乎不会生成低电流密度区域而造成量子阱层响应速度的下降。因此，该发光二极管有很好的高速响应。 |
| 申请日期 | 2003-06-24 |
| 专利号 | CN1248322C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN03160266.5 |
| 公开（公告）号 | CN1248322C |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01S5/183 | H01S5/343 | H01L33/06 | H01L33/14 | H01L33/30 |
| 专利代理人 | 陶凤波 | 侯宇 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90099 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仓桥孝尚,村上哲朗,大山尚一,等. 半导体发光器件. CN1248322C[P]. 2006-03-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1248322C.PDF（861KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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