Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体器件及其制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体器件及其制造方法 |
| 神川刚; 山田英司; 荒木正浩 | |
| 2008-02-06 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2008-02-06 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 在具有形成于其上的作为凹陷部分的刻槽区域的已处理衬底上，布置氮化物半导体薄膜。填充所述凹陷部分的所述氮化物半导体薄膜占据的截面面积为所述凹陷部分的截面面积的0.8倍或更低。 |
| 其他摘要 | 在具有形成于其上的作为凹陷部分的刻槽区域的已处理衬底上，布置氮化物半导体薄膜。填充所述凹陷部分的所述氮化物半导体薄膜占据的截面面积为所述凹陷部分的截面面积的0.8倍或更低。 |
| 申请日期 | 2005-05-10 |
| 专利号 | CN101119012A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200710149024.3 |
| 公开（公告）号 | CN101119012A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/223 | H01S5/30 | H01S5/323 | H01L33/00 | C23C16/34 |
| 专利代理人 | 葛青 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90095 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川刚,山田英司,荒木正浩. 半导体器件及其制造方法. CN101119012A[P]. 2008-02-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101119012A.PDF（3136KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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