Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作工艺 | |
| 其他题名 | 电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作工艺 |
| 路秀真; 常秀兰; 李成明; 刘峰奇; 王占国 | |
| 2005-08-10 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2005-08-10 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在半导体材料上沉积电极；(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；(C)再进行套刻；(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。 |
| 其他摘要 | 一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在半导体材料上沉积电极；(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；(C)再进行套刻；(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。 |
| 申请日期 | 2004-02-05 |
| 专利号 | CN1652418A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200410003647.6 |
| 公开（公告）号 | CN1652418A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/042 | H01S5/10 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90033 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 路秀真,常秀兰,李成明,等. 电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作工艺. CN1652418A[P]. 2005-08-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1652418A.PDF（266KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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