Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 硅发光元件 | |
| 其他题名 | 硅发光元件 |
| 楚树成; 菅博文 | |
| 2011-10-05 | |
| 专利权人 | 浜松光子学株式会社 |
| 公开日期 | 2011-10-05 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供了一种硅发光元件，具备：具有第1面(10a)和位于该第1面相反侧的第2面(10b)的第1导电类型的硅衬底(10)；设置在硅衬底(10)的第1面(10a)上的绝缘膜(11)；设置在绝缘膜(11)上不同于第1导电类型的第2导电类型的硅层(12)；设置在硅层(12)上的第1电极(13)；以及设置在硅衬底的第2面上的第2电极(14)，硅衬底(10)的载流子浓度为5×1015cm-3～5×1018cm-3，硅层(12)的载流子浓度为1×1017cm-3～5×1019cm-3并且比硅衬底(10)的载流子浓度大一个数量级以上，绝缘膜(11)的膜厚是0.3nm～5nm。由此，实现了可以适用于硅光子学的光源的硅发光元件。 |
| 其他摘要 | 本发明提供了一种硅发光元件，具备：具有第1面(10a)和位于该第1面相反侧的第2面(10b)的第1导电类型的硅衬底(10)；设置在硅衬底(10)的第1面(10a)上的绝缘膜(11)；设置在绝缘膜(11)上不同于第1导电类型的第2导电类型的硅层(12)；设置在硅层(12)上的第1电极(13)；以及设置在硅衬底的第2面上的第2电极(14)，硅衬底(10)的载流子浓度为5×1015cm-3～5×1018cm-3，硅层(12)的载流子浓度为1×1017cm-3～5×1019cm-3并且比硅衬底(10)的载流子浓度大一个数量级以上，绝缘膜(11)的膜厚是0.3nm～5nm。由此，实现了可以适用于硅光子学的光源的硅发光元件。 |
| 申请日期 | 2009-09-08 |
| 专利号 | CN102210029A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200980144433.1 |
| 公开（公告）号 | CN102210029A |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01S5/32 |
| 专利代理人 | 龙淳 |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89983 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浜松光子学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 楚树成,菅博文. 硅发光元件. CN102210029A[P]. 2011-10-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102210029A.PDF（616KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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