含有空穴阻挡层的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法

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	含有空穴阻挡层的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法
其他题名	含有空穴阻挡层的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法
	于春满; 朱海军; 张兴
	2017-01-04
专利权人	成都斯科泰科技有限公司
公开日期	2017-01-04
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4um量子阱激光器结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一N 型GaSb衬底；一N型GaSb缓冲层，该缓冲层生长在衬底上；一N型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在N型GaSb缓冲层上；一AlGaAsSb下波导层，该下波导层生长在N型AlGaAsSb覆盖层上；一AlGaAsSb下势垒层，该下势垒层生长在AlGaAsSb下波导层上；一InPSb空穴阻挡层，该空穴阻挡层生长在AlGaAsSb下势垒层上；一InGaAsSb量子阱层，该量子阱层生长在InPSb空穴阻挡层上；一AlGaAsSb上势垒层，该上势垒层生长在InGaAsSb量子阱层上；一AlGaAsSb上波导层，该上波导层生长在AlGaAsSb上势垒层上；一P型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在AlGaAsSb上波导层上；一P型GaSb欧姆接触层，该接触层生长在P型AlGaAsSb覆盖层上。
其他摘要	一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4um量子阱激光器结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一N 型GaSb衬底；一N型GaSb缓冲层，该缓冲层生长在衬底上；一N型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在N型GaSb缓冲层上；一AlGaAsSb下波导层，该下波导层生长在N型AlGaAsSb覆盖层上；一AlGaAsSb下势垒层，该下势垒层生长在AlGaAsSb下波导层上；一InPSb空穴阻挡层，该空穴阻挡层生长在AlGaAsSb下势垒层上；一InGaAsSb量子阱层，该量子阱层生长在InPSb空穴阻挡层上；一AlGaAsSb上势垒层，该上势垒层生长在InGaAsSb量子阱层上；一AlGaAsSb上波导层，该上波导层生长在AlGaAsSb上势垒层上；一P型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在AlGaAsSb上波导层上；一P型GaSb欧姆接触层，该接触层生长在P型AlGaAsSb覆盖层上。
申请日期	2016-08-12
专利号	CN106300014A
专利状态	失效
申请号	CN201610660268.7
公开（公告）号	CN106300014A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89982
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	成都斯科泰科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	于春满,朱海军,张兴. 含有空穴阻挡层的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法. CN106300014A[P]. 2017-01-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106300014A.PDF（108KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文