异质掩埋激光器的制作方法

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	异质掩埋激光器的制作方法
其他题名	异质掩埋激光器的制作方法
	王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 陈娓兮; 梁松; 边静; 安心; 王伟
	2010-11-17
专利权人	河南仕佳光子科技股份有限公司
公开日期	2010-11-17
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种异质掩埋激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长有源层，作为激光器件的发射区；步骤2：在有源层的表面生长SiO2层，在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用；步骤3：光刻，在SiO2层表面的两侧，将SiO2层和有源层刻蚀掉，使中间形成微米级脊型台面，光刻后的有源层成为激光器件的发射区；步骤4：用MOCVD技术，在脊型台面的两侧依次生长本征InP层、反向P-InP结电流限制层和N-InP结电流限制层，使脊型台面上形成沟道；步骤5：去掉脊型台面表面上的SiO2层；步骤6：用MOCVD技术，在沟道内、去掉SiO2层的脊型台面上及N-InP结电流限制层的表面生长P-InP电流注入层，完成器件的制作。
其他摘要	一种异质掩埋激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长有源层，作为激光器件的发射区；步骤2：在有源层的表面生长SiO2层，在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用；步骤3：光刻，在SiO2层表面的两侧，将SiO2层和有源层刻蚀掉，使中间形成微米级脊型台面，光刻后的有源层成为激光器件的发射区；步骤4：用MOCVD技术，在脊型台面的两侧依次生长本征InP层、反向P-InP结电流限制层和N-InP结电流限制层，使脊型台面上形成沟道；步骤5：去掉脊型台面表面上的SiO2层；步骤6：用MOCVD技术，在沟道内、去掉SiO2层的脊型台面上及N-InP结电流限制层的表面生长P-InP电流注入层，完成器件的制作。
申请日期	2010-06-02
专利号	CN101888060A
专利状态	授权
申请号	CN201010196147.4
公开（公告）号	CN101888060A
IPC 分类号	H01S5/227 \| H01S5/323
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89965
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	河南仕佳光子科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王宝军,朱洪亮,赵玲娟,等. 异质掩埋激光器的制作方法. CN101888060A[P]. 2010-11-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101888060A.PDF（272KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文