Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体器件及其制备方法和应用 | |
| 其他题名 | 半导体器件及其制备方法和应用 |
| 陈弘; 贾海强 | |
| 2016-04-20 | |
| 专利权人 | 中国科学院物理研究所 |
| 公开日期 | 2016-04-20 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供的半导体器件包括依次形成的硅基材料基片、隔离层、化合物基半导体外延材料层，其中，所述隔离层的材料为金属材料或介质材料，本发明提供的半导体器件，通过在硅基衬底与化合物基半导体外延材料层之间建立隔离层，从而构建了硅基衬底与化合物基半导体外延材料层之间的晶格失配产生应力的缓冲层，这样，该半导体器件在工作时，硅基衬底与化合物基半导体外延材料两者晶格失配与热失配问题产生的大的应力问题得到良好隔离，半导体器件工作寿命延长。 |
| 其他摘要 | 本发明提供的半导体器件包括依次形成的硅基材料基片、隔离层、化合物基半导体外延材料层，其中，所述隔离层的材料为金属材料或介质材料，本发明提供的半导体器件，通过在硅基衬底与化合物基半导体外延材料层之间建立隔离层，从而构建了硅基衬底与化合物基半导体外延材料层之间的晶格失配产生应力的缓冲层，这样，该半导体器件在工作时，硅基衬底与化合物基半导体外延材料两者晶格失配与热失配问题产生的大的应力问题得到良好隔离，半导体器件工作寿命延长。 |
| 申请日期 | 2014-10-17 |
| 专利号 | CN105514793A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201410553135.0 |
| 公开（公告）号 | CN105514793A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/30 | H01S5/343 | H01S5/22 |
| 专利代理人 | 宋鹰武 | 沈祖锋 |
| 代理机构 | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89944 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈弘,贾海强. 半导体器件及其制备方法和应用. CN105514793A[P]. 2016-04-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105514793A.PDF（987KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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