Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor light source | |
| 其他题名 | Semiconductor light source |
| KOBAYASHI NAOKI; HORIKOSHI YOSHIHARU | |
| 1981-03-14 | |
| 专利权人 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
| 公开日期 | 1981-03-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To make possible to take out much light by constructing a semiconductor light source of an active layer of InGaAsSb, a light guide layer of InGaAsSb or GaSb and a clad layer of AlGaAsSb whose compositions are each specified. CONSTITUTION:On an N type GaSb substrate 11, an N type AlGaAsSb first clad layer 12 and an N type light guide layer 13 of Inx'Ga1-x'ASy, Sb1-y' or GaSb are stacked and epitaxially grown. And further on them, an N type or P type InxGa1-x AsySb1-y active layer 14, a P type AlGaAsSb second clad layer 15 and a P type GaSb layer 16 are stacked in the same way and epitaxially grown. The relation of x and y are specified as x' |
| 其他摘要 | 目的：通过构建InGaAsSb有源层的半导体光源，InGaAsSb或GaSb的光导层和AlGaAsSb的包层，可以获得大量的光，其组成各自指定。组成：在N型GaSb衬底11上，堆叠并外延生长N型AlGaAsSb第一包层12和Inx'Ga1-x'ASy，Sb1-y'或GaSb的N型光导层13。并且在它们上面，以相同的方式堆叠N型或P型InxGa1-x AsySb1-y有源层14，P型AlGaAsSb第二包层15和P型GaSb层16并外延生长。 x和y的关系指定为x' |
| 申请日期 | 1979-08-13 |
| 专利号 | JP1981026484A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1979102264 |
| 公开（公告）号 | JP1981026484A |
| IPC 分类号 | H01L21/208 | H01L33/10 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01S5/323 | H01L21/20 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89818 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KOBAYASHI NAOKI,HORIKOSHI YOSHIHARU. Semiconductor light source. JP1981026484A[P]. 1981-03-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1982041835B2.PDF（140KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论