Manufacture of semiconductor light emitting element

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	Manufacture of semiconductor light emitting element
其他题名	Manufacture of semiconductor light emitting element
	MATSUO NOZOMI; KAWAGUCHI MASAZUMI
	1989-01-11
专利权人	古河電気工業株式会社
公开日期	1989-01-11
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To make it possible to control a diffusion front so that it is in a high degree of uniformity in its depth by forming an epitaxial film by an MOCVD technique, thereby forming an impurity diffusion region with a selective solid phase diffusion technique. CONSTITUTION:Laminated epitaxial layers are manufactured with an MOCVD (organometallic chemical vapor deposition) technique, that is, a vapor epitaxial growth technique which is performed according to the thermal decomposition reaction of II or III organic compounds and V or IV hydrogen compounds. Further, a doped oxide film 10 including diffused impurities is formed on an epitaxial and a stripe-like impurity diffusion region 7' is formed with a selective solid phase diffusion technique which performs heat treatment. Since a thermal treatment temperature in the case of diffusion can be suppressed at a low level, impurity distribution in crystals does not change during their thermal treatment and there is little or no change in the configuration of carrier concentration profile at a diffusion front. In this way, a high degree of uniformity in diffusion is attained.
其他摘要	目的：通过MOCVD技术形成外延膜，从而可以控制扩散前沿，使其在深度上具有高度均匀性，从而形成具有选择性固相扩散技术的杂质扩散区。组成：层压外延层采用MOCVD（有机金属化学气相沉积）技术制造，即根据II或III有机化合物和V或IV氢化合物的热分解反应进行的气相外延生长技术。此外，在外延上形成包括扩散杂质的掺杂氧化物膜10，并且利用进行热处理的选择性固相扩散技术形成条状杂质扩散区7'。由于在扩散的情况下的热处理温度可以被抑制在低水平，因此晶体中的杂质分布在它们的热处理期间不会改变，并且在扩散前沿的载流子浓度分布的构造很少或没有变化。以这种方式，实现了高度均匀的扩散。
申请日期	1987-06-29
专利号	JP1989007589A
专利状态	失效
申请号	JP1987161989
公开（公告）号	JP1989007589A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89784
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	古河電気工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	MATSUO NOZOMI,KAWAGUCHI MASAZUMI. Manufacture of semiconductor light emitting element. JP1989007589A[P]. 1989-01-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2599391B2.PDF（25KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文