Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 猪口 和彦 | |
| 1994-04-15 | |
| 专利权人 | SHARP CORP |
| 公开日期 | 1994-04-15 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 光ガイド層を備えた半導体レーザの垂直放射角の低減を実現するための半導体レーザの層構造に関するものである。 【構成】 半導体基板上に少なくとも第1クラッド層(屈折率n1)、活性層(屈折率n5)、光ガイド層(屈折率n6)、第2クラッド層(屈折率n2)を順次形成し、屈折率の大小関係がn5>n6>(n1及びn2)である光ガイド層付き半導体レーザ装置において、第1のクラッド層と活性層の間に第3のクラッド層を、光ガイド層と第2クラッド層の間に第4のクラッド層を、一方又は両方に挿入し、第3のクラッド層の屈折率n3はn5>n1>n3であり、第4のクラッド層の屈折率n4はn6>n2>n4であることを特徴とする半導体レーザ装置。 |
| 其他摘要 | 目的的层结构的用于实现与一光导层的减少的半导体激光器的垂直辐射角的半导体激光器。 [配置]在半导体基板上至少一个第一包层（折射率n1），有源层（折射率n5的），光导层（折射率N6），第二包层（折射率n2）顺序地形成，折射率的大小关系N5> N6>光导层具有（n1和n2）在该半导体激光器件中，第一包层和活性层，光导层和所述第二包层之间的第四包层之间的第三包层，并插入到一个或两个，第三包层的折射率n3是N5> N1> N3，第四的半导体激光装置，其中所述包层的折射率为n4的特征在于N6> N2> N4。 |
| 申请日期 | 1992-09-18 |
| 专利号 | JP1994104525A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992249719 |
| 公开（公告）号 | JP1994104525A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 梅田 勝 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89716 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 猪口 和彦. 半導体レーザ装置. JP1994104525A[P]. 1994-04-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994104525A.PDF（55KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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