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半導体発光装置
其他题名半導体発光装置
西村 公佐; 堺 和夫; 久代 行俊
1996-08-08
专利权人国際電信電話株式会社
公开日期1996-10-23
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要PURPOSE:To introduce light into an external medium with high efficiency by providing a mode filter region which is constituted so as to inflict loss to a predetermined transmission mode, and applying magnetic field to an optical waveguide layer coupled with an emitted light. CONSTITUTION:A mode filter region is constituted so as to inflict loss to a predetermined transmission mode of light propagating in a first optical waveguide layer arranged in the manner to couple with the emitted light from a laser region. A second optical waveguide region is arranged so as to couple with the output light from the mode filter region, and the composition of the region is so determined that the plane of polarization of propagating light is rotated. A magnetic field applying part B is constituted of a magnet or an electromagnet in order to rotate the plane of polarization of the optical waveguide layer. A semiconductor element part A and the applying part B apply magnetic field component nearly parallel with an optical axis to a second optical waveguide layer, and the intensity of the magnetic field can be adjusted by changing an angle beta. By changing the intensity of the magnetic field in this manner, the emitted light is effectively introduced into external medium.
其他摘要用途:通过提供模式滤波器区域将光引入外部介质,该模式滤波器区域构成为使损耗达到预定的透射模式,并将磁场施加到与发射光耦合的光波导层。组成:模式滤波器区域被构成,以便在第一光波导层中传播的光的预定传输模式下造成损耗,该第一光波导层以与来自激光区域的发射光耦合的方式布置。设置第二光波导区域以便与来自模式滤波器区域的输出光耦合,并且确定区域的组成使得传播光的偏振面旋转。磁场施加部分B由磁体或电磁体构成,以旋转光波导层的偏振面。半导体元件部分A和施加部分B将与光轴几乎平行的磁场分量施加到第二光波导层,并且可以通过改变角度β来调节磁场的强度。通过以这种方式改变磁场强度,发射的光被有效地引入外部介质中。
申请日期1989-02-01
专利号JP2546366B2
专利状态失效
申请号JP1989020830
公开(公告)号JP2546366B2
IPC 分类号G02B5/30 | G02B | H01S | G02F1/095 | G02F | H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人山本 恵一
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89701
专题半导体激光器专利数据库
作者单位国際電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
西村 公佐,堺 和夫,久代 行俊. 半導体発光装置. JP2546366B2[P]. 1996-08-08.
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