Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser element | |
| 其他题名 | Semiconductor laser element |
| TAKENAKA TAKUO; KANEIWA SHINJI; YANO MORICHIKA | |
| 1984-03-08 | |
| 专利权人 | SHARP KK |
| 公开日期 | 1984-03-08 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To eliminate the adverse effects caused by a current blocking layer wherein Te is doped and to impart long life operation characteristics, by adding a GaAs buffer layer on a Te doped N GaAs current blocking layer. CONSTITUTION:On a Zn doped P GaAs substrate 21, a current blocking layer 22 comprising Te doped N GaAs is grown by a liquid phase epitaxial growing method. Then a buffer layer 23 comprising undoped GaAs or Si doped N GaAs is grown. Thereafter, a stripe shaped groove 24 is etched from the buffer layer 23 to the substrate 2 Then, a first clad layer 25, an active layer 26, a second clad layer 27, and a cap layer 28 are sequentially deposited by the liquid phase epitaxial growing method again. Thereafter a P type electrode 29 and an N type electrode 30 are evaporated and formed. Then the wafer is divided with the stripe groove 24 as the center, and the end surface of a resonator is formed by a cleaving method. |
| 其他摘要 | 目的：通过在Te掺杂的N + GaAs电流阻挡层上添加GaAs缓冲层，消除由掺杂Te的电流阻挡层引起的不利影响并赋予长寿命操作特性。组成：在Zn掺杂的P + GaAs衬底21上，通过液相外延生长方法生长包含Te掺杂的N + GaAs的电流阻挡层22。然后生长包括未掺杂的GaAs或Si掺杂的N-GaAs的缓冲层23。之后，从缓冲层23向基板21蚀刻条形槽24.然后，通过液相依次沉积第一包层25，有源层26，第二包层27和盖层28。再次外延生长方法。之后，蒸发并形成P型电极29和N型电极30。然后以条纹槽24为中心分割晶片，并通过切割方法形成谐振器的端面。 |
| 申请日期 | 1982-08-31 |
| 专利号 | JP1984041885A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1982152001 |
| 公开（公告）号 | JP1984041885A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/223 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89664 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | TAKENAKA TAKUO,KANEIWA SHINJI,YANO MORICHIKA. Semiconductor laser element. JP1984041885A[P]. 1984-03-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1984041885A.PDF（261KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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