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Integrated type semiconductor laser device
其他题名Integrated type semiconductor laser device
KITAMURA MITSUHIRO
1986-04-21
专利权人日本電気株式会社
公开日期1986-04-21
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要PURPOSE:To obtain a heterodyne reception system integrated type semiconductor laser device, which sufficiently follows up the change of the oscillating wavelengths of signal beams and from which stable performance characteristics are acquired, by using a single axial-mode LD, oscillating wavelengths therefrom can be controlled, as a partial oscillating light source. CONSTITUTION:A DFB-LD2 having a wavelength control mechanism, a photodiode 3 and an optical waveguide 4 are formed on a semiconductor substrate 1 in an integrated type semiconductor laser device. Signal beams projected from the input end 5 of the optical waveguide 4 are mixed with beams from the DFB-LD2 as a partial oscillator, and received by the photodiode 3. The DFB-LD2 consists of a DFB region 7 and a wavelength control region 8, and is laser-oscillated and currents are flowed through the wavelength control region 8, and the refractive index of the region 8 section is altered, thus changing oscillating wavelengths. Accordingly, oscillating wavelengths are controlled while following up the variation of the wavelengths of signal beams, thus keeping reception system intermediate frequency constant.
其他摘要目的:为了获得外差式接收系统集成型半导体激光器件,其通过使用单个轴向模式LD充分跟随信号光束的振荡波长的变化并且从中获得稳定的性能特性,可以获得其振荡波长作为部分振荡光源。结构:在集成型半导体激光器件中的半导体衬底1上形成具有波长控制机构的DFB-LD2,光电二极管3和光波导4。从光波导4的输入端5投射的信号束与来自作为部分振荡器的DFB-LD2的光束混合,并由光电二极管3接收。DFB-LD2由DFB区域7和波长控制区域8 ,并且被激光振荡,并且电流流过波长控制区域8,并且区域8部分的折射率改变,从而改变振荡波长。因此,在跟随信号光束的波长的变化的同时控制振荡波长,从而保持接收系统的中间频率恒定。
申请日期1984-09-25
专利号JP1986078190A
专利状态失效
申请号JP1984200208
公开(公告)号JP1986078190A
IPC 分类号G02B6/122 | G02B6/12 | H01S5/00 | H01S5/026 | H01S3/18
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89645
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電気株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
KITAMURA MITSUHIRO. Integrated type semiconductor laser device. JP1986078190A[P]. 1986-04-21.
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JP1986078190A.PDF(207KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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