半導体発光素子の製造方法

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	半導体発光素子の製造方法
其他题名	半導体発光素子の製造方法
	佐々木和明; 中村淳一; 大山尚一
	2005-03-04
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	2005-05-25
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】結晶欠陥を低減でき、素子特性を向上できる半導体発光素子の製造方法を提供する【解決手段】 n-AlGaInPクラッド層3を成長すべき第2温度よりも高い第1温度の基板温度で、n-GaAs基板1上にn-GaAsバッファ層2を成長させる。この結果、n-GaAs基板1およびn-GaAsバッファ層2を構成するGaのマイグレーションが促進され、結晶欠陥が減少する。また、n-GaAs基板1、基板保持具12および基板保持具12周辺の部材に付着してした酸素を蒸発させてからn-AlGaInPクラッド層3を成長させるので、発光層の成長時にn-GaAs基板1、基板保持具12および基板保持具12周辺の部材から酸素が蒸発しない。したがって、非発光再結合中心を形成する酸素がn-AlGaInPクラッド層3に入り込むのを防止できる。
其他摘要	种类：A1提供一种能够减少晶体缺陷并改善器件特性的半导体发光器件的制造方法。半导体发光器件的制造方法包括在第一温度高于第二温度的衬底温度下形成n-AlGaInP包层3的步骤，在n-GaAs衬底1上生长n-GaAs缓冲层2。结果，促进了构成n-GaAs衬底1和n-GaAs缓冲层2的Ga的迁移，并且减少了晶体缺陷。此外，由于在蒸发附着在n-GaAs衬底1，衬底支架12和衬底支架12周围的元件上的氧气之后生长n-AlGaInP覆层3，因此可以生长n-GaAs氧不会从基板1，基板支架12和基板支架12周围的构件蒸发。因此，可以防止形成非辐射复合中心的氧进入n-AlGaInP包层3。
申请日期	1999-01-21
专利号	JP3653408B2
专利状态	失效
申请号	JP1999012999
公开（公告）号	JP3653408B2
IPC 分类号	C23C16/30 \| H01L \| H01S \| H01S5/323 \| H01L33/12 \| C23C \| H01L33/30 \| H01L21/205 \| H01S5/00 \| H01L33/00
专利代理人	青山葆 \| 山崎宏
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89640
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	佐々木和明,中村淳一,大山尚一. 半導体発光素子の製造方法. JP3653408B2[P]. 2005-03-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3653408B2.PDF（79KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文