Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体量子井戸レーザの製法 | |
| 其他题名 | 半導体量子井戸レーザの製法 |
| 岡本 稔; 納富 雅也 | |
| 1993-05-25 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 1993-05-25 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | (修正有) 【目的】 活性層としての半導体層にダメージを与えることなしに、所期の半導体量子井戸レーザとしての特性を有するものの製法を提案する。 【構成】 活性層としての半導体層4を、半導体層から、断面逆メサ状の半導体層5′をマスクとして用いて形成している。そのマスクは、爾後高いバンドギャップエネルギを有する半導体層5になる断面逆メサ状の半導体層5′であるので従来のようにマスクを除去する、という工程を有しない。このため、活性層としての半導体層4に、ダメージを与えなくすることができる。 |
| 其他摘要 | 用途：防止作为有源层的半导体层被半导体层（作为光导/量子限制层）形成在半导体上作为有源层和具有高带隙能量的半导体层的方法损坏。组成：具有高带隙能量的半导体层5形成在半导体层3上，作为光导/量子限制层，来自具有倒置台面形成部分的半导体层5'。然后，通过设置在其上的半导体层部分5a的中间层，在作为活化半导体层4的半导体层4上形成半导体层6，作为连续延伸穿过上述层的其它光导/量子限制层。半导体层5具有高带隙能量。然后，依次形成作为InP包层的p型半导体层7，p +型半导体层8，作为由InGaAs构成的覆盖层。 |
| 申请日期 | 1991-07-22 |
| 专利号 | JP1993129710A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991206467 |
| 公开（公告）号 | JP1993129710A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 田中 正治 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89630 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡本 稔,納富 雅也. 半導体量子井戸レーザの製法. JP1993129710A[P]. 1993-05-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993129710A.PDF（59KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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