Single wavelength laser and its manufacture

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Single wavelength laser and its manufacture
其他题名	Single wavelength laser and its manufacture
	SAKAKIBARA YASUSHI
	1990-08-30
专利权人	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
公开日期	1990-08-30
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To make possible the low-threshold operation and high-efficiency operation of the title device by a method wherein a semiconductor layer formed with a periodical structure and a periodical channel for injecting a current are formed on an active layer. CONSTITUTION:A semiconductor layer 25 having periodical grooves is provided on an active layer 3 and a channel 30 for injecting a current is periodically formed by diffusing an impurity from a clad layer 26. Accordingly, a current into the layer 3 is injected periodically and unevenly, the periodical distribution of carriers is formed in the layer 3, a laser is formed into a gain coupling distributed feedback laser and a periodic fluctuation in a gain coefficient is formed by taking the distribution of the injected carriers. Therefore, an absorption loss of a laser beam in a waveguide is reduced. Thereby, the low-threshold operation and high-efficiency operation of the laser becomes possible.
其他摘要	目的：通过其中在有源层上形成具有周期性结构形成的半导体层和用于注入电流的周期性沟道的方法，可以实现标题器件的低阈值操作和高效率操作。结构：具有周期性凹槽的半导体层25设置在有源层3上，并且通过从包层26扩散杂质而周期性地形成用于注入电流的沟道30.因此，进入层3的电流被周期性地且不均匀地注入，在层3中形成载流子的周期性分布，将激光器形成为增益耦合分布反馈激光器，并且通过获取注入的载流子的分布形成增益系数的周期性波动。因此，波导中的激光束的吸收损耗减小。从而，激光器的低阈值操作和高效率操作变得可能。
申请日期	1989-02-17
专利号	JP1990218190A
专利状态	失效
申请号	JP1989038674
公开（公告）号	JP1990218190A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/12 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89611
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	SAKAKIBARA YASUSHI. Single wavelength laser and its manufacture. JP1990218190A[P]. 1990-08-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990218190A.PDF（140KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文