半導体レーザ

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザ
其他题名	半導体レーザ
	本多正治; 浜田弘喜; 庄野昌幸; 廣山良治
	2000-06-09
专利权人	三洋電機株式会社
公开日期	2000-08-14
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To enhance a semiconductor laser in carrier concentration by a method wherein an N-type clad layer, an active layer, and a P-type clad layer all formed of AlGaInP compound semiconductor are provided onto a substrate provided with a primary surface which is inclined in a certain direction from a prescribed plane, and Zn is added to the P-type clad layer as an acceptor. CONSTITUTION:The following are formed on an N-type GaAs substrate 1 whose primary surface is inclined in a direction from a (100) plane by an angle of 7 degrees: an N-type Ga0.5In0.5P buffer layer 2 0.3mum in thickness; an N-type (Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P clad layer 3 doped with Si as donor and 1mum; an undoped (Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P active layer 4 0.06mum in thickness; an P-type (Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P clad layer 5 doped with Zn and 1mum in the thickness; and a P-type GaInP contact layer 6 0.1mum in thickness. By this setup, even if a P-type clad layer is the same in an Al composition ratio, it can be enhanced in carrier concentration, so that the larger hetero barrier can be obtained.
其他摘要	用途：通过一种方法增强半导体激光器的载流子浓度，其中N型包层，有源层和P型包层全部由AlGaInP化合物半导体形成，设置在具有主表面的基板上。从规定的平面向某一方向倾斜，将Zn添加到作为受主的P型包层中。组成：下面是在N型GaAs衬底1上形成的，其主表面从（100）平面向方向倾斜7度角：N型Ga0.5In0.5P缓冲层2厚度为0.3um;掺杂Si作为施主和1μm的N型（Al0.6Ga0.4）0.5In0.5P包层3;未掺杂（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5P有源层4，厚度0.06μm;掺杂Zn和1μm厚的P型（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5P包层5;和厚度为0.1μm的P型GaInP接触层6。通过这种设置，即使P型覆层的Al组成比相同，也可以提高载流子浓度，从而可以获得更大的异质势垒。
申请日期	1990-03-28
专利号	JP3075728B2
专利状态	失效
申请号	JP1990080120
公开（公告）号	JP3075728B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00
专利代理人	安富耕二 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89561
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三洋電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	本多正治,浜田弘喜,庄野昌幸,等. 半導体レーザ. JP3075728B2[P]. 2000-06-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3075728B2.PDF（28KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文