Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 盛田 芳雄 | |
| 1994-11-25 | |
| 专利权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 公开日期 | 1994-11-25 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 p型化合物半導体に形成される、良好なp型オーミック電極を有するZn(Se,S)系青色発光ダイオードを提供する。 【構成】 p型ZnSe1上にp型Cu5AlSe4層2とIn電極3を積層させることによるオーミック接触形成した発光ダイオードとする。 |
| 其他摘要 | 目的：通过一种方法形成制造蓝色发光元件所需的p型欧姆电极，其中Cu5AlSe4层用作p型ZnSe的欧姆形成方法的中间层。组成：在GaAs衬底上形成n-ZnSe，然后p型ZnSe 1，p型Cu5AlSe4层2和In电极3连续生长在p型Se 1上形成。此时，p型Cu5AlSe4层例如，可以通过例如2形成分子束外延工艺，而In电极3是通过真空蒸发工艺形成的。层压这些层后，将整个体在300℃下热处理2分钟。当通过TLM工艺测量接触电阻时，可以在10-5Ω·cm 2中进行有利的欧姆接触。通过这些步骤，可以形成用于p型ZnSe或p型ZnS或p型Zn（Se，S）的欧姆电极。 |
| 申请日期 | 1993-05-13 |
| 专利号 | JP1994326361A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993111335 |
| 公开（公告）号 | JP1994326361A |
| IPC 分类号 | H01L33/40 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小鍜治 明 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89507 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 盛田 芳雄. 半導体発光素子. JP1994326361A[P]. 1994-11-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994326361A.PDF（20KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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