半導体発光素子

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	半導体発光素子
其他题名	半導体発光素子
	上村信行; 長谷川義晃; 石橋明彦; 原義博; 木戸口勲; 粂雅博; 伴雄三郎
	1998-12-04
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1998-12-04
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】窒素を含有するIII -V族化合物を用いた半導体発光素子において、発光特性を向上し動作電圧を低減できるようにする。【解決手段】面方位が(0001)のサファイアよりなる基板11上には、上部に段差部を有するn型GaN層13が形成されている。n型GaN層13の上における段差部の上段側には、アンドープGaNよりなる第1のガイド層15と、活性層16bを含む多重量子井戸層16と、アンドープGaNよりなる第2のガイド層17と、p型不純物であるMgが活性層16b側の領域へ拡散することを抑制する拡散抑制層18と、p型Al0.1Ga0.9Nよりなるp型クラッド層19と、p型GaNよりなるp型コンタクト層20と、Niよりなる第1の金属膜22a及び該第1の金属膜22aの上にAuよりなる第2の金属膜22bが積層されてなる陽電極22とが順次形成されている。
其他摘要	要解决的问题：为了改善发光特性并降低使用含氮的III-V族化合物的半导体发光器件中的工作电压。摘要：在具有平面方向（0001）的蓝宝石制成的基板11上形成具有台阶部分的n型GaN层。未掺杂的GaN的第一引导层15，包括有源层16b的多量子阱层16和未掺杂的GaN的第二引导层17形成在n型GaN层13上的台阶部分的上台侧上，用于抑制作为p型杂质的Mg扩散到有源层16b侧的区域的扩散抑制层18，以及p型Al 0.1 Ga 0.9 在第一金属膜22a上键入p型包覆层19，由p型GaN制成的p型接触层20，由Ni制成的第一金属膜22a和由Au制成的第二金属膜22b然后依次形成层叠的阳极电极22。
申请日期	1997-05-14
专利号	JP1998321942A
专利状态	失效
申请号	JP1997124240
公开（公告）号	JP1998321942A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	前田弘 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89481
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	上村信行,長谷川義晃,石橋明彦,等. 半導体発光素子. JP1998321942A[P]. 1998-12-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998321942A.PDF（65KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文