自励発振型半導体レーザ素子

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	自励発振型半導体レーザ素子
其他题名	自励発振型半導体レーザ素子
	三宅輝明; 茨木晃; 林伸彦; 田尻敦志; 古沢浩太郎; 松本光晴; 松川健一; 後藤壮謙; 井手大輔
	1995-01-24
专利权人	SANYO ELECTRIC CO LTD
公开日期	1995-01-24
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】動作電流及び垂直方向のビーム広がり角の特性が良好な自励発振型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【構成】 n型GaAs基板1と、この基板1上に設けたn型第1クラッド層6と、この第1クラッド層6上に設けた活性層8と、この活性層8上に設けたp型第2クラッド層13とを備え、第1、第2クラッド層6、13の層中にそれぞれ発振波長エネルギーに略等しいエネルギーのバンドギャップを有する可飽和光吸収層4、11を有し、且つ前記第1、第2クラッド層6、13は活性層8より小さい屈折率及び大きいバンドギャップを有し、且つ第1クラッド層6と活性層8の間及び活性層8と第2クラッド層13の間にそれぞれ第1クラッド層6及び第2クラッド層13より小さい屈折率及び大きなバンドギャップを有する障壁層7、9を設けた。
其他摘要	目的：提供一种自激振荡型半导体激光元件，它具有在垂直方向上工作电流和光束发散角的优良特性。组成：自激振荡型半导体激光元件包括n型GaAs衬底1，设置在基板1上的n型第一覆层6，设置在层6上的有源层8，和第二覆层13在层8上提供可饱和光吸收层4,11，其中能隙带的能隙基本上等于振荡波长能量，分别设置在层6,13中。此外，层6,13具有较小的折射率和较大的带在层6和8之间以及层8和13之间分别设置具有比层6,12更小的折射率和更大带隙的层8和阻挡层7,9的间隙。
申请日期	1993-06-30
专利号	JP1995022695A
专利状态	失效
申请号	JP1993161925
公开（公告）号	JP1995022695A
IPC 分类号	H01S5/065 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	西野卓嗣
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89310
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SANYO ELECTRIC CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	三宅輝明,茨木晃,林伸彦,等. 自励発振型半導体レーザ素子. JP1995022695A[P]. 1995-01-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995022695A.PDF（53KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文