Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物系化合物半導体光素子 | |
| 其他题名 | 窒化物系化合物半導体光素子 |
| 内田 憲治; 渡辺 明禎; 田中 俊明; 皆川 重量 | |
| 1997-09-05 | |
| 专利权人 | 株式会社日立製作所 |
| 公开日期 | 1997-09-05 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | (修正有) 【課題】窒化物系化合物半導体からなる光素子の製造において、光導波路を安全且つ制御性良く形成し、キャリア及び光を有効に活性層に閉じ込められる光素子を作製する。 【解決手段】側方に電流狭窄層19が形成されるクラッド層18中にエッチング停止層7を新たに形成する。エッチング停止層7は、クラッド層よりバンドギャップが大きく且つキャリア濃度が異なるものとする。この場合、エッチング停止層中のキャリア濃度は、これがp型クラッド層8中のときは高く又n型クラッド層4中のときは低くする。エッチング停止層の組成は、(AlxGa1-x)InyN(但し、0≦x≦1,0≦y≦1)とする。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：生产氮化物复合材料的光学器件。半导体具有安全且可控制地形成的光导，并且能够有效地将载流子和光限制在有源层中。解决方案：在包层18中新形成蚀刻停止层7，其中在侧面形成电流狭窄层19，并且具有比包层18的带隙更宽的带隙和不同的载流子浓度。载体浓缩当在p型覆层8和n型覆层4中时，在停止层7中，高阻抗和低阻挡层的形成。阻挡层的组成。是（Alx Ga1-x）Iny N，0 <= x，Y <= 1。 |
| 申请日期 | 1996-02-22 |
| 专利号 | JP1997232681A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996034576 |
| 公开（公告）号 | JP1997232681A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/06 | H01L33/14 | H01L33/10 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/20 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89286 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 憲治,渡辺 明禎,田中 俊明,等. 窒化物系化合物半導体光素子. JP1997232681A[P]. 1997-09-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997232681A.PDF（32KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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