OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
周期変調回折格子
其他题名周期変調回折格子
国井 達夫
1998-08-07
专利权人沖電気工業株式会社
公开日期1998-08-07
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】 導波路の上部に抵抗が導波路方向に変化する抵抗加熱膜を設けることにより、素子作製プロセスが非常に容易であり、グレーティングのチャーピングの大きさ、及びチャーピングの変化の大きさを可変にすることができる(電流供給時に導波路方向に向かってブラッグ波長が低減する)周期変調回折格子を提供する。 【解決手段】 InP等の半導体クラッド層上に回折格子のついた光導波路2を設け、クラッド部よりも屈折率の大きい半導体材料(InGaAsP)で構成する。更に、InP等の半導体クラッド層、絶縁層を形成し、その上に抵抗加熱膜5を形成する。この周期変調回折格子10は上方から見ると、金等からなる電極パッド6が設けられ、光導波路2は点線で示すように、端面Pから端面Qに向かって一定の幅に形成されている。また、抵抗加熱膜5は端面Pから端面Qに向かって次第に広がり、その幅が導波路方向に変化している。
其他摘要要解决的问题:通过在波导的上部提供电阻在波导方向上变化的电阻加热膜,器件制造工艺非常容易,并且光栅的啁啾大小和啁啾变化的大小提供周期性调制的衍射光栅(其中布拉格波长在提供电流时朝向波导方向减小)。 解决方案:具有衍射光栅的光波导2设置在诸如InP的半导体包覆层上,并且其由折射率大于包层部分的半导体材料(InGaAsP)制成。此外,形成InP等半导体覆层和绝缘层,并在其上形成电阻加热膜5。当从上方观察时,周期性调制衍射光栅10设置有由金等制成的电极焊盘6,并且光波导2形成为具有从端面P到端面Q的恒定宽度,如虚线所示。电阻加热膜5从端面P朝向端面Q逐渐扩展,并且其宽度在波导方向上变化。
申请日期1997-01-21
专利号JP1998206620A
专利状态失效
申请号JP1997008415
公开(公告)号JP1998206620A
IPC 分类号G02B6/12 | G02B5/18 | H01S5/00 | G02F1/01 | H01S3/18
专利代理人清水 守 (外1名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89283
专题半导体激光器专利数据库
作者单位沖電気工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
国井 達夫. 周期変調回折格子. JP1998206620A[P]. 1998-08-07.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
JP1998206620A.PDF(38KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[国井 達夫]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[国井 達夫]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[国井 達夫]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。