Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| IWANO HIDEAKI | |
| 1988-06-15 | |
| 专利权人 | SEIKO EPSON CORP |
| 公开日期 | 1988-06-15 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To control an oscillation only of a fundamental transverse mode, to reduce low threshold current density and to enable oscillation stably up to a high output by bringing width just above an active layer in a rib to 0.5-10.0mum and bringing the layer thickness of a clad just above the active layer left between the active layer and a II-VI semiconductor layer to 0-2.0mum. CONSTITUTION:A P-type AlGaAs clad layer 106 formed to an inverted mesa- shaped rib shape and a P-type GaAs contact layer 108 are formed, and both ends of a rib are buried with a II-VI compound semiconductor such as ZnSe 107. A P-type ohmic electrode 109 is shaped onto the ZnSe layer 107 on the P-type GaAs contact layer 108. When charges are injected to an active layer 105, light emission of carrier recombination is amplified between resonator end-surface, and laser beams are oscillated. The oscillation of a fundamental transverse mode is enabled only when the values of both layer thickness are brought to 0.5-10.0mum and 0-2.0mum respectively. |
| 其他摘要 | 目的：仅控制基本横向模式的振荡，降低低阈值电流密度，并通过将肋条中的有源层上方的宽度设置为0.5-10.0mum并使层厚度达到稳定，从而实现稳定振荡直至高输出在有源层和II-VI半导体层之间留下的有源层正上方的绝缘层的厚度为0-2.0μm。组成：形成倒置台面形肋形状的P型AlGaAs包层106和P型GaAs接触层108，肋的两端用II-VI化合物半导体如ZnSe 107掩埋在P型GaAs接触层108上的ZnSe层107上成形P型欧姆电极109.当电荷注入有源层105时，在谐振器端面和激光器之间放大载流子复合的光发射。光束振荡。只有当两个层厚度的值分别达到0.5-10.0μm和0-2.0μm时，才能实现基本横向模式的振荡。 |
| 申请日期 | 1986-12-05 |
| 专利号 | JP1988142878A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1986290263 |
| 公开（公告）号 | JP1988142878A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89244 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SEIKO EPSON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | IWANO HIDEAKI. Semiconductor laser. JP1988142878A[P]. 1988-06-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1988142878A.PDF（198KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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