半導体レ-ザの製造方法

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	半導体レ-ザの製造方法
其他题名	半導体レ-ザの製造方法
	篠原庸雄
	1994-08-22
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1994-08-22
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To simplify the manufacture of a semiconductor laser element, by a method wherein two parallel grooves for alignment are arranged together with grooves for device pattern, and used as a pattern for alignment after the grooves are buried to form semiconductor multilayer film. CONSTITUTION:An InGaAsP active layer 3 and a P-InP clad layer 4 are laminated on an N-InP substrate 1 through an N-InP buffer layer 2. Grooves 10A and 10B for a device pattern are arranged by etching and, at the same time, two parallel groove 11A and 11B wider than the groove 10 are formed in the middle between the grooves 10A and 10B. The grooves 11A and 11B are used alterward for alignment. A P-InP layer 5, N-InP layer 6, P-InP layer 7 and P-InGaAsP layer 8 are formed in succession. In this process, the grooves 10 are buried completely, whose surfaces are made flat. On the contrary, a groove 9 is exactly left without being buried in the middle part between the grooves 11A and 11B. By applying the groove 9 to a positioning pattern, the aperture opening of an insulating film formed on the layer 8, the patterning of a wiring formed on the insulating film, and wafer cutting are easily performed.
其他摘要	目的：为了简化半导体激光元件的制造，通过一种方法，其中两个用于对准的平行凹槽与用于器件图案的凹槽一起布置，并且在凹槽被掩埋以形成半导体多层膜之后用作对准图案。组成：InGaAsP有源层3和P-InP包层4通过N-InP缓冲层2层叠在N-InP衬底1上。用于器件图案的凹槽10A和10B通过蚀刻排列，同时在凹槽10A和10B之间的中间形成两个比凹槽10宽的平行凹槽11A和11B。凹槽11A和11B用于对准。依次形成P-InP层5，N-InP层6，P-InP层7和P-InGaAsP层8。在该过程中，凹槽10被完全掩埋，其表面被制成平坦的。相反，凹槽9正好没有被埋在凹槽11A和11B之间的中间部分中。通过将凹槽9应用于定位图案，可以容易地执行形成在层8上的绝缘膜的开口，形成在绝缘膜上的布线的图案化以及晶片切割。
申请日期	1985-11-18
专利号	JP1994065238B2
专利状态	失效
申请号	JP1985258843
公开（公告）号	JP1994065238B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	京本直樹 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89169
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	篠原庸雄. 半導体レ-ザの製造方法. JP1994065238B2[P]. 1994-08-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994065238B2.PDF（15KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文