Semiconductor laser and manufacture thereof

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	Semiconductor laser and manufacture thereof
其他题名	Semiconductor laser and manufacture thereof
	MANNOU MASAYA; OGURA MOTOTSUGU
	1990-08-24
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	1990-08-24
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To improve characteristics and the reproducibility and reliability thereof in any oscillation wavelength by providing a double hetero structure constructed of a lower-side clad layer using (AlGa)As layer and of an active layer and a first upper- side clad layer, and further an oxidation preventing layer and an internal current narrowing layer having a larger Al composition ratio than the oxidation preventing layer, on a GaAs substrate. CONSTITUTION:A double hetero structure wherein an (AlGa)As layer is laid as an active layer 3 and this active layer 3 is held between an (AlGa)As clad layer 2 of a first conductivity type being different in a composition ratio from the layer 3 and a first (AlGa)As clad layer 4 of a second conductivity type is provided on a GaAs substrate 1 of the first conductivity type, and an (AlxGaIn)P oxidation preventing layer 9 of the second conductivity type and an (AlyGaIn)P internal current narrowing layer 10 of the first conductivity type are provided on the upper side of the active layer 3. Herein, 0<=x<=y<=0.5. According to this constitution, light absorption in the oxidation preventing layer 9 does not occur if the light is in a region of a wavelength which can be oscillated, and the internal current narrowing layer 10 can be made to have a larger forbidden band width and a smaller refractive index than the first clad layer 4. Accordingly, it is possible to execute a horizontal mode control being stable in a refractive index guide.
其他摘要	目的：通过使用（AlGa）As层和有源层以及第一上侧包层提供由下侧包层构成的双异质结构，改善任何振荡波长的特性及其再现性和可靠性，以及在GaAs衬底上还具有氧化防止层和具有比氧化防止层更大的Al组分比的内部电流窄化层。组成：双异质结构，其中（AlGa）As层作为有源层3，并且该有源层3保持在第一导电类型的（AlGa）As包层2之间，其与层的组成比不同如图3所示，第一（AlGa）As包层4为第二层在第一导电类型的GaAs衬底1上提供导电类型，并且在第一导电类型的（AlxGaIn）P氧化防止层9和第一导电类型的（AlyGaIn）P内部电流窄化层10上提供导电类型。在此，0 <= x <= y <= 0.5。根据这种结构，如果光处于可以振荡的波长区域，则不会发生防氧化层9中的光吸收，并且可以使内部电流窄化层10具有更大的禁带宽度和折射率小于第一包层4.因此，可以执行在折射中稳定的水平模式控制指数指南。
申请日期	1989-02-14
专利号	JP1990213181A
专利状态	失效
申请号	JP1989033941
公开（公告）号	JP1990213181A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89134
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	MANNOU MASAYA,OGURA MOTOTSUGU. Semiconductor laser and manufacture thereof. JP1990213181A[P]. 1990-08-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990213181A.PDF（224KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文