半導体素子の試験装置および半導体素子の試験方法

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	半導体素子の試験装置および半導体素子の試験方法
其他题名	半導体素子の試験装置および半導体素子の試験方法
	大崎裕人; 田村佳和
	2003-01-08
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	2003-01-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】通電により導波路から発光する半導体素子の試験において、導波路に近い半導体素子の面を、放熱板に設けた吸着穴で固定するために、半導体素子と接触する放熱板の面積が小さくなり、導波路で発生する熱が十分に放熱できず、試験中の半導体素子の温度が上昇して安定した半導体素子の検査を行うことが困難であった。【解決手段】試験針21に設けた吸着穴22により半導体素子14を固定し、半導体素子14の検査用電極15と試験針21の上端とを接触させることで、半導体素子14に形成された導波路16に近い面(半導体素子14の上面)と放熱板25との接触面積が減少することなく、導波路16で発生した熱を急速に放熱板25に伝達させることができる。
其他摘要	要解决的问题：为了通过通电测试从波导发射光的半导体元件，为了利用设置在散热器中的吸入孔将半导体元件的表面固定在靠近波导的位置，与半导体元件接触的散热器的面积小结果，波导中产生的热量不能充分地散发，被测半导体元件的温度升高，使得难以稳定地检查半导体元件。解决方案：半导体元件14通过设置在测试针21中的抽吸孔22和半导体元件14的检查电极15固定，并且测试针21的上端彼此接触，从而引导在波导16中产生的热量可以快速地传递到散热板25，而不会减小散热器25和靠近波导16的表面（半导体元件14的上表面）之间的接触面积。
申请日期	2001-06-20
专利号	JP2003004797A
专利状态	失效
申请号	JP2001186147
公开（公告）号	JP2003004797A
IPC 分类号	G01R1/067 \| H01L21/66 \| H01L33/00 \| H01S5/00 \| G01R31/26 \| G01R31/261 \| H01L21/6633
专利代理人	岩橋文雄 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89065
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	大崎裕人,田村佳和. 半導体素子の試験装置および半導体素子の試験方法. JP2003004797A[P]. 2003-01-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2003004797A.PDF（108KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文