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半導体レーザ
其他题名半導体レーザ
駒崎 岩男
1993-12-17
专利权人オリンパス光学工業株式会社
公开日期1993-12-17
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【目的】本発明は、円形ビームを実現でき、高出力動作が期待でき、更に光情報処理用ばかりでなく、高速データ転送に対応する光源を実現しえることを主要な目的とする。 【構成】量子井戸活性層(23)上にメサ状の第2クラッド層(25)を設け、該クラッド層(25)を電流ブロック層(29)に埋めてなる自己整合型ダブルヘテロ構造の半導体レーザにおいて、前記活性層(23)上に超格子構造の光出力導波路層(24)が設けられ、かつ前記導波路層(24)と第2クラッド層(25)のメサ部の立ち上がりに対応する部分が少なくても無秩序化されていることを特徴とする半導体レーザ。
其他摘要用途:提供可发射圆形光束的光源,可进行高输出操作,并可应对高速数据传输以及光学信息处理。组成:在具有这种自匹配双异质结构的半导体激光器中,台面状第二覆层25设置在量子阱有源层23上,并且层25埋在电流阻挡层29中,光输出具有超晶格结构的波导层24设置在有源层23上,并且至少部分层24对应于层24和层24的上升部分是无序的。
申请日期1992-06-02
专利号JP1993335684A
专利状态失效
申请号JP1992141551
公开(公告)号JP1993335684A
IPC 分类号H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人鈴江 武彦
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89061
专题半导体激光器专利数据库
作者单位オリンパス光学工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
駒崎 岩男. 半導体レーザ. JP1993335684A[P]. 1993-12-17.
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JP1993335684A.PDF(35KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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