Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半導体レーザ | |
其他题名 | 半導体レーザ |
駒崎 岩男 | |
1993-12-17 | |
专利权人 | オリンパス光学工業株式会社 |
公开日期 | 1993-12-17 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 【目的】本発明は、円形ビームを実現でき、高出力動作が期待でき、更に光情報処理用ばかりでなく、高速データ転送に対応する光源を実現しえることを主要な目的とする。 【構成】量子井戸活性層(23)上にメサ状の第2クラッド層(25)を設け、該クラッド層(25)を電流ブロック層(29)に埋めてなる自己整合型ダブルヘテロ構造の半導体レーザにおいて、前記活性層(23)上に超格子構造の光出力導波路層(24)が設けられ、かつ前記導波路層(24)と第2クラッド層(25)のメサ部の立ち上がりに対応する部分が少なくても無秩序化されていることを特徴とする半導体レーザ。 |
其他摘要 | 用途:提供可发射圆形光束的光源,可进行高输出操作,并可应对高速数据传输以及光学信息处理。组成:在具有这种自匹配双异质结构的半导体激光器中,台面状第二覆层25设置在量子阱有源层23上,并且层25埋在电流阻挡层29中,光输出具有超晶格结构的波导层24设置在有源层23上,并且至少部分层24对应于层24和层24的上升部分是无序的。 |
申请日期 | 1992-06-02 |
专利号 | JP1993335684A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1992141551 |
公开(公告)号 | JP1993335684A |
IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | 鈴江 武彦 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89061 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | オリンパス光学工業株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 駒崎 岩男. 半導体レーザ. JP1993335684A[P]. 1993-12-17. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1993335684A.PDF(35KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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