Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 小野村 正明; 西川 幸江; 波多腰 玄一 | |
| 2003-08-22 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 2003-11-10 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 本発明は、結晶欠陥に起因する劣化を阻止し、信頼性の確保を図る。 【解決手段】 発光層(14,15)に接する少なくとも1つの界面には導電性酸化物(17)を設け、導電性酸化物が発光層に対してキャリア注入を行ない、且つ光閉込め又は発光取出しを行なう半導体発光装置。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：防止晶体缺陷导致的劣化并确保可靠性。 解决方案：导电氧化物（17）设置在与发光层（14,15）接触的至少一个界面处，导电氧化物将载流子注入发光层，以及光限制或发光发射装置。 |
| 申请日期 | 1995-09-06 |
| 专利号 | JP3464853B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995229045 |
| 公开（公告）号 | JP3464853B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L33/42 | H01L33/14 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01L33/44 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88985 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野村 正明,西川 幸江,波多腰 玄一. 半導体レーザ. JP3464853B2[P]. 2003-08-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3464853B2.PDF（27KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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