Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Aligning method | |
| 其他题名 | Aligning method |
| SAKANO TATSUYA; WATANABE TSUTOMU | |
| 1991-11-29 | |
| 专利权人 | FUJIKURA LTD |
| 公开日期 | 1991-11-29 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To conduct precise alignment without generating abnormal growth, etc., by exposing one part of an element formed through first epitaxial growth through selective etching after second epitaxial growth. CONSTITUTION:One part of an element formed through first epitaxial growth is exposed through selective etching after second epitaxial growth, and the alignment of the formation of the element is performed on the basis of an element pattern exposed. Consequently, the element pattern at the time of first epitaxial growth is exposed through selective etching, and the alignment of the formation of the element is executed while using the pattern exposed as a reference. Accordingly, a current confinement section and an optical confinement section can be aligned easily with high accuracy without generating an accident such as abnormal growth. |
| 其他摘要 | 用途：通过在第二次外延生长之后通过选择性蚀刻暴露通过第一外延生长形成的元件的一部分来进行精确对准而不产生异常生长等。组成：通过第一次外延生长形成的元件的一部分在第二次外延生长后通过选择性蚀刻暴露，并且元件的形成的对准是在暴露的元件图案的基础上进行的。因此，通过选择性蚀刻暴露第一外延生长时的元件图案，并且在使用暴露作为参考的图案的同时执行元件形成的对准。因此，电流限制部分和光学限制部分可以容易地以高精度对准，而不会产生诸如异常生长的事故。 |
| 申请日期 | 1990-03-16 |
| 专利号 | JP1991268378A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1990066608 |
| 公开（公告）号 | JP1991268378A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/20 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88944 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJIKURA LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SAKANO TATSUYA,WATANABE TSUTOMU. Aligning method. JP1991268378A[P]. 1991-11-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1991268378A.PDF（199KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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